cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-資料下載頁(yè)
2025-05-11 01:31本頁(yè)面
【正文】 刻蝕接觸孔 ? 沉積第一金屬層并刻蝕成圖案 ? 沉積第二金屬層并刻蝕成圖案 （ 選 ） ? 形成鈍化玻璃并刻蝕焊盤 1P2M CMOS主要工藝步驟 ?第一步 : 掩膜 1： P阱 目標(biāo) : 制作 P阱 Si 襯底 P w e l l具體步驟如下： 1．生長(zhǎng)二氧化硅： Si 襯底 S iO 22． P阱光刻： 涂膠、掩膜對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影、刻蝕 3． 去膠 4． 摻雜： 摻入 B元素 涂膠 顯影 刻蝕 去膠 摻雜形成 P阱 第二步 掩膜 2 ： 有源區(qū) (有器件的區(qū)域 ) ? 淀積氮化硅 ? 光刻有源區(qū) ? 場(chǎng)區(qū)氧化 ? 去除有源區(qū)氮化硅及二氧化硅 ? 生長(zhǎng)柵氧 ? 淀積多晶硅 淀積氮化硅 光刻有源區(qū) 場(chǎng)區(qū)氧化去除氮化硅及二氧化硅 長(zhǎng)柵氧 淀積多晶硅柵氧化層 第三步 掩膜 3 ： 光刻多晶硅 光刻多晶硅第四步 掩膜 4 ： P+區(qū) (PMOS的 D,S 區(qū) ) P+區(qū)光刻 離子注入 B+， 柵區(qū)有多晶硅做掩蔽，稱為硅柵自對(duì) 準(zhǔn)工藝。 去膠 P+ 區(qū)光刻B+ 第五步 掩膜 5 ： N+區(qū) (NMOS的 D, S區(qū) ) N+區(qū)光刻 離子注入 P+ 去膠 N+ 區(qū)光刻P+ 第六步 掩膜 6 ：接觸孔 (鋁線和器件 D、 S極的連接 ) 光刻接觸孔接觸孔 第七步 掩膜 7 ：光刻鋁引線 淀積鋁 光刻鋁 光刻鋁ALP S G場(chǎng)氧P o l y柵氧P+N+P 阱N 硅襯底第八步 掩膜 8 ：刻鈍化孔 (因?yàn)樾酒谋砻嫔闪蒜g化層 ,是絕緣層 ,所以 在需要 PAD連接的地方要去掉鈍化材料 ） chi p ci rcui tpad C H I P＊ 后道封裝 （在另外廠房） （ 1）背面減薄 （ 2）切片 （ 3）粘片 （ 4）壓焊：金絲球焊 （ 5）切筋 （ 6）整形 （ 7）所封 （ 8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸 （ 9）老化 （ 10）成測(cè) （ 11）打印、包裝 劃片 金絲劈加熱 壓
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