cmos集成電路工藝基礎-展示頁
2025-05-23 01:31本頁面
【正文】 在高性能的芯片生產工藝采用 Cu 隨著工藝的發(fā)展，線寬越來越細，采用低電阻率的金屬和合金成為發(fā)展方向。 材料來源豐富，價格便宜 基于 Si半導體的工藝技術已經相當成熟 B） 砷化鉀 GaAs 是 III/IV族化合物 材料比較貴，比 Si片貴十幾倍 工藝制造比較成熟 GaAs的集成電路具有更好的性能 C） 磷化銦 也是 III/IV族化合物 主要應用于光纖系統(tǒng)中 制作發(fā)光器件和 OEIC 工藝制造技術不時非常成熟 5． 絕緣材料的作用 在集成電路系統(tǒng)中，主要的絕緣材料有： SiO SiON、 SiN4 主要功能： 1）器件之間、有源層、導線層之間的絕 緣層。 C） 半導體的導電能力隨光照而發(fā)生顯著變化 ， 利用此特性可以制作光敏器件 。利用此特性可以制作熱敏器件 。 因此，可利用這一性質通過摻雜質的多少來控制硅的導電 能力。則其電阻率變?yōu)椋??＝ 而半導體材料不同，純凈的硅在室溫下： ?＝ 21400Ω 但硅的導電能力隨溫度上升而增加，且變化非常明顯。cm 絕緣體： ρ 10E4 Ω cm 半導體： ρ =10 Ω 第一章 CMOS集成電路工 藝基礎 半導體材料： N型半導體： N N N+ P型半導體： P P P+ CMOS集成電 路工藝 氧化工藝 攙雜工藝 淀積工藝 鈍化工藝 光刻和 腐蝕 工藝 CMOS集成電 路工藝流程 本章主要內容 第一節(jié) 集成電路材料 材料分類： 從電阻率上分 ， 固體分為三大類 。 在室溫下： 金屬： ρ 10 Ω cm~10E4 Ω cm 分類 材料 電導率 導體 鋁、金、鎢、銅 半導體 硅、鍺、砷化鎵、磷化銦 109~ 絕緣體 SiO SiON、 SiN4 1022~ 2． 材料的溫度特性 一般金屬的導電能力隨溫度上升而下降，且變化不明顯。 舉個例子： Cu： 30?C ?100?C ?增加不到一半（正溫度系數） Si： 30?C ? 20?C ?增加一倍 （負溫度系數） 3． 半導體材料的主要特性 A） 半導體的導電能力隨所含的微量雜質而發(fā)生顯著 變化 ? 一般材料純度在 ％已認為很高了，有 ％的雜質不會影響物質的性質。cm ?如果在硅中摻入雜質磷原子，使硅的純度仍保持為 ％。cm。 B） 當半導體受到外界熱的刺激時 ， 其導電能力發(fā)生顯 著變化 。 同
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