cmos數(shù)字集成電路ppt課件-展示頁
2025-05-14 12:05本頁面
【正文】 CMOS反相器的等效模型 CMOS反相器的制作工藝 物理結(jié)果截面 (側(cè)視 ) 場氧化 (FOX) 掩膜板 (頂視 ) N阱 N阱掩膜板 薄氧 掩膜板 薄氧層 P型襯底 N阱 P型襯底 N阱 薄氧化層 多晶硅掩膜板 多晶硅 N+掩膜板 N+ N+ P型襯底 N阱 多晶硅 NMOS管 P型襯底 N阱 N+ N+ PMOS管 P型襯底 N阱N+ N+ P+ P+ N+ P+ P+掩膜板 (負(fù) ) 金屬 金屬掩膜板 P型襯底 N阱N+ N+ P+ P+ 接觸 接觸孔 接觸掩膜 P型襯底 N阱N+ N+ P+ P+ 金屬 設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝參數(shù) 幾何設(shè)計(jì)規(guī)則 電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)則 設(shè) 計(jì) 規(guī) 則 幾何規(guī)則規(guī)定了版圖制作中 的各種尺寸 ,對版圖各層之間 的重疊、有源區(qū)的特征尺寸、 以及線條的寬度和間距等幾 何尺寸所作出的規(guī)定。 電學(xué)規(guī)則是電路連線電阻、 分布電容、功耗等應(yīng)達(dá)到 的指標(biāo)。 ， XXXG tAtAC 0000 // ??? ???F / 120 ?????擴(kuò)散電容 源擴(kuò)散區(qū) 面 積 漏擴(kuò)散區(qū) 面 積 源區(qū) 漏區(qū) a b 擴(kuò)散電容包括擴(kuò)散 區(qū)面電容和側(cè)電容 兩部分 : jpjad CbaabCC )(2 ???式中， Cja為每平方微米面結(jié)電容， Cjp為每微米的側(cè)面 電容， a為擴(kuò)散區(qū)的寬度， b為擴(kuò)散區(qū)的長度。 n是常數(shù)，與 PN結(jié) 附近雜質(zhì)的分布有關(guān)， n=~。對于長線，由導(dǎo)線層中分布電阻和分布電容引起的傳播延遲起支配作用。 門的延遲
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