cmos集成電路工藝基礎-閱讀頁
2025-05-31 01:31本頁面
【正文】 和 氣體分解 ， 從而形成氮化硅而落在硅片上 。 ?掩膜版和光刻膠： 掩膜版：亮版和暗版 ?由 掩膜工廠制造 光刻膠：正膠和負膠 w a f e r m a s k光源?光刻過程如下： 1． 涂光刻膠 2． 掩膜對準 3． 曝光 4． 顯影 5． 刻蝕：采用干法刻蝕 （ Ery Eatching） 6． 去膠：化學方法及干法去膠 (1)丙酮中 ， 然后用無水乙醇 (2)發(fā)煙硝酸 (3)等離子體的干法刻蝕技術 ?光刻工藝的發(fā)展： ? 70年代的光刻只能加工 3～ 5μ m線寬， 4 ～5 wafer。如：canon， 采用紫外線光源，分辨率較低。 代表產品有美國的 Ultrotec。 （ 2） Wafer與 Mask之間有間隙 ， 使一些塵埃顆 粒加入 ， 造成影響 。 光源5 MaskL e nsC huck T ab l eW af e r投影式光刻機 ? 80年代后期出現(xiàn)了 Wafer Stepper， 10:1或5:1，使芯片加工進入了 m的時代。 另外，美國的 KLA更加先進，它帶有Mask檢查及修正系統(tǒng)。它使用的光源仍是紫外線，但是用的是 gline， 波長在 436nm， 可加工：~ m（ 大生產）， ~ m（ 科研）芯片。 （ 2）若用準分子激光光源 KrF下，波長大約 248nm，可加工： ~ m （ 大生產）， ~ m（ 科研）的芯片。 ? 二是在制作 Mask上下功夫，并帶有 Mask的修正功能，可通過檢測 Mask上的缺陷，調整曝光過程 。 去膠 P+ 區(qū)光刻B+ 第五步 掩膜 5 ： N+區(qū) (NMOS的 D, S區(qū) ) N+區(qū)光刻 離子注入 P+ 去膠 N+ 區(qū)光刻P+ 第六步 掩膜 6 ：接觸孔 (鋁線和器件 D、 S極的連接 ) 光刻接觸孔接觸孔 第七步 掩膜 7 ：光刻鋁引線 淀積鋁 光刻鋁 光刻鋁ALP S G場氧P o l y柵氧P+N+P 阱N 硅襯底第八步 掩膜 8 ：刻鈍化孔 (因為芯片的表面生成了鈍化層 ,是絕緣層 ,所以 在需要 PAD連接的地方要去掉鈍化材料 ） chi p ci rcui tpad C H I P＊ 后道封裝 （在另外廠房） （ 1）背面減薄 （ 2）切片 （ 3）粘片 （ 4）壓焊：金絲球焊 （ 5）切筋 （ 6）整形 （ 7）所封 （ 8）沾錫：保證管腳的電學接觸 （ 9）老化 （ 10）成測 （ 11）打印、包裝 劃片 金絲劈加熱 壓 焊
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