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正文內(nèi)容

集成電路版圖基礎-電容-閱讀頁

2025-05-15 18:27本頁面
  

【正文】 MOS集成電路中常用的電容: ?( 1)擴散電容 ?單層多晶工藝使用的方法。 ?金屬 多晶硅 擴散區(qū)電容 電容值誤差 —— 邊緣電容 ?理想平板電容器的電場線是直線,但實際情況下,在靠近邊緣地方的會發(fā)生彎曲,越靠近邊緣,彎曲越嚴重。 ?極板邊緣處的電場分布不均勻,造成電容的邊緣效應,這相當于在電容里并聯(lián)了一個附加電容。最好分析出電路功能 ?版圖設計實驗報告應有實驗結(jié)果為版圖照片截圖、驗證結(jié)果截圖
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