集成電路制造工藝ppt課件-閱讀頁
2025-05-22 07:17本頁面
【正文】 ?低壓化學(xué)汽相淀積 (LPCVD) ?等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD) APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 平行板型 PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?單晶硅的化學(xué)汽相淀積 (外延 )： 一般地，將在單晶襯底上生長單晶材料的工藝叫做外延，生長有外延層的晶體片叫做外延片 ?二氧化硅的化學(xué)汽相淀積： 可以作為金屬化時的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 ?低溫 CVD氧化層：低于 500℃ ?中等溫度淀積： 500～ 800℃ ?高溫淀積： 900℃ 左右 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?多晶硅的化學(xué)汽相淀積： 利用多晶硅替代金屬鋁作為 MOS器件的柵極是 MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的 MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實現(xiàn)源漏區(qū)自對準(zhǔn)離子注入，使 MOS集成電路的集成度得到很大提高。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種 ?濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上 蒸發(fā)原理圖 集成電路工藝 ?圖形轉(zhuǎn)換： ?光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻 ?刻蝕：干法刻蝕、濕發(fā)刻蝕 ?摻雜： ?離子注入 退火 ?擴(kuò)散 ?制膜： ?氧化：干氧氧化、濕氧氧化等 ?CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD ?PVD：蒸發(fā)、濺射 作 業(yè) ?集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡述各工藝的主要作用 ?簡述光刻的工藝過程
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