《集成電路制造工藝》ppt課件-文庫(kù)吧
2025-04-22 07:17 本頁面
【正文】 解特性改變 ?正膠： 分辨率高 ， 在超大規(guī)模集成電路工藝中 ， 一般只采用正膠 ?負(fù)膠： 分辨率差 ， 適于加工線寬 ≥3?m的線條 正膠：曝光后可溶 負(fù)膠：曝光后不可溶 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?幾種常見的光刻方法 ?接觸式光刻： 分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。 ?接近式曝光： 在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙 (10～ 25?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低 ?投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 三種光刻方式 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?超細(xì)線條光刻技術(shù) ?甚遠(yuǎn)紫外線 (EUV) ?電子束光刻 ?X射線 ?離子束光刻 圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù) ?濕法刻蝕： 利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法 ?干法刻蝕： 主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子 、 原子及各種原子基團(tuán)等 )與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的 圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù) ?濕法腐蝕： ?濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕 ?優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低 ?缺點(diǎn)是鉆蝕嚴(yán)重、對(duì)圖形的控制性較差 干法刻蝕 ?濺射與離子束銑蝕： 通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕 ， 各向異性性好，但選擇性較差 ?等離子刻蝕 (Plasma Etching)： 利用放電產(chǎn)生的游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)物，實(shí)現(xiàn)刻蝕。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差 ?反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡(jiǎn)稱為RIE)： 通過活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離
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