集成電路光刻工藝ppt課件-閱讀頁
2025-05-22 07:17本頁面
【正文】 膜襯底材料透 X光能力強(qiáng) ，而在它上面制作微細(xì)圖形的材料透 X光能力差 ， 這樣在光刻膠上可獲得分辨率高的光刻圖形 。 電子束的斑點(diǎn)可以聚焦的很小 ， 而且聚焦的景深很深 ， 可用計(jì)算機(jī)控制 ， 精度遠(yuǎn)比肉眼觀察要高 。 電子束曝光機(jī)是把各次曝光圖形用計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)圖形就只要重新編程 。 ?電子束曝光設(shè)備復(fù)雜，成本較高。 用這種方法曝光 ， 分辨率可達(dá)到 1～ ； （ 2） 不要 1:1精縮掩膜 ， 因而掩膜尺寸大 ，制作方便 。逐步對準(zhǔn)的方法 也可以降低對硅片表面平整度的要求。它進(jìn)一步分為三個(gè)光帶：200nm到 260nm； 260nm到 285nm以及 285nm到 315nm。 ?PMMA對 210nm到 260nm的紫外光有感光性 ，感光性最佳的紫外光光譜約為 220nm； ?PMIK的紫外光感光光譜為 220nm到 330nm，峰值光譜約為 190nm和 285nm。 ?ODVR系列光刻膠的感光光譜為 200nm到315nm， 峰值光譜為 230nm、 280nm、300nm。 ? 泛光曝光：該工藝又被稱為 “ 多層抗蝕劑技術(shù) ” ， 它同時(shí)使用深紫外光和標(biāo)準(zhǔn)紫外光的抗蝕劑 。 然后在上面甩上第二層膠 。 39 上面一層的抗蝕劑在步進(jìn)光刻機(jī)用普通掩膜對準(zhǔn)方式曝光，然后顯影，這就會(huì)在深紫外光抗蝕劑上形成一層 “ 共形 ” 掩膜，所以不用再進(jìn)行掩膜對準(zhǔn)。 40 41 八、各種曝光方式的比較
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