集成電路制造工藝ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-16 07:17本頁(yè)面
【正文】 化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化 ， 使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變 ?正膠： 分辨率高 ， 在超大規(guī)模集成電路工藝中 ， 一般只采用正膠 ?負(fù)膠： 分辨率差 ， 適于加工線寬 ≥3?m的線條 正膠：曝光后可溶 負(fù)膠：曝光后不可溶 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?幾種常見(jiàn)的光刻方法 ?接觸式光刻： 分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差 ?反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡(jiǎn)稱(chēng)為RIE)： 通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。目前， RIE已成為 VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù) 擴(kuò)散與離子注入 ?摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成 PN結(jié)、電阻、歐姆接觸 ?磷 (P)、砷 (As) —— N型硅 ?硼 (B) —— P型硅 ?摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入 擴(kuò) 散 ?替位式擴(kuò)散： 雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位： ?Ⅲ 、 Ⅴ 族元素 ?一般要在很高的溫度 (950～ 1280℃ )下進(jìn)行 ?磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層 ?間隙式擴(kuò)散： 雜質(zhì)離子位于晶格間隙： ?Na、 K、 Fe、 Cu、 Au 等元素 ?擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大 6～ 7個(gè)數(shù)量級(jí) 雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖 固態(tài)源擴(kuò)散：如 B2O P2O BN等 利用液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散的裝置示意圖 離子注入 ?離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目 (劑量 )決定 ? 摻雜的均勻性好 ?溫度低：小于 600℃ ?可以精確控制雜
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