集成電路制造工藝-展示頁
2025-01-12 18:43本頁面
【正文】 雙擲開關(guān)，當(dāng) vI為低電平時(shí)， NMOST截止，PMOST導(dǎo)通，輸出電子 vo為高；相反，當(dāng) vI為高電平時(shí)， NMOST導(dǎo)通， PMOST截止，輸出電平 vo為 ?低． ?在 CM0S反相器中，不論它處在哪一種邏輯狀態(tài) (Vl＝ VDD或 VSS)，都有一個(gè)晶體管處于截止態(tài)，因此電源和地之間的電流很小，CMOC電路的功耗也就很小。集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證 第三章 集成電路制造工藝 ?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。 ?每個(gè)晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開，以防止器件之間的相互影響。 ?除此以外， CMOC集成電路還具有設(shè)計(jì)靈活、抗干擾能力強(qiáng)、單一工作電源、輸入阻抗高、適合于大規(guī)模集成等特點(diǎn)， CMOS集成電路已經(jīng)以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)成了集成電路工業(yè)的主流技術(shù)． ?（ 1）初始材料準(zhǔn)備：一般采用 (100)晶向的硅片 ?（ 2） 形成 N阱 (圖 (a)) ?初始氧化 ?淀積氮化硅層 ?光刻，定義出 N阱 ?反應(yīng)離子刻蝕氯化硅層 ? N阱離子注入，注磷 ?（ 3） 形成 P阱 (圖 (b)， (c)) ?在 N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化 ?去掉光刻膠及氮化硅層 ? P阱離子注入，注硼，并退火驅(qū)入 ?去掉 N阱區(qū)的氧化層 ? (4)形成場(chǎng)隔離區(qū) (圖 (d)) ?場(chǎng)氧化區(qū) ? (5)形成多晶硅柵 (圖 (d)． (e)) ?生長(zhǎng)柵氧化層 ?淀積多晶硅 ?光刻多晶硅柵 ?刻蝕多晶硅柵 ?淀積氧化層 ? (6)形成 N管源漏區(qū) (圖 (e)) ?光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護(hù)起來 ?離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū) ? (7)形成 P管源漏區(qū) (圖 (e)) ?光刻，利用光刻膠將 NMOS區(qū)保護(hù)起來 ?離子注入磷或砷，形成 P管派漏區(qū) ? (8)形成接觸孔 (圖 (f)) ?化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層 ?退火和致密 ?光刻接觸孔版 ?反應(yīng)離子到蝕磷硅破璃，形成接觸孔 ? (9)形成第一層金屬 (圖 (g)， (h)) ? 淀積金屬鎢 (W)，形成鎢塞 ? 淀積金屬層，如 At— Si、 A1— 5— cu合金等 ? 光刻第一層金后版，定義出連線圖形 ? 反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形
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