集成電路制造工藝-在線瀏覽
2025-02-07 18:43本頁面
【正文】 ? (10)形成穿通接觸孔 (圖 (i)) ? 化學(xué)氣相淀積磷徒玻璃層 ? 通過化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化 ? 光刻穿通接觸孔版 ? 反應(yīng)離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔 ?（ 11） 形成第二層金屬 (圖 (i)) ?淀積金屬層，如 A1— Si、 A1— si— Cu合金等 ?光刻第二層金屬版，定義出連線圖形 ?反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形 ? (12)合金 ? (13)形成鈍化層 ?在低溫條件下 (小于 300 c）淀積氮化硅 ?光刻鈍化版 ?刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形 ? (14)測試、封裝，完成集成電路的制造工藝 ?光刻是集成電路中十分重要的一種加工工藝技術(shù)．它是指通過類似于洗印照片的原理，通過曝光和選擇腐蝕等工序?qū)⒀谀ぐ嫔显O(shè)計好的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的過程． ?光刻所需要的三要素為：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)． ?在現(xiàn)代集成電路工藝中，氧化是必不可少的工藝技術(shù)．在硅表面上生長的氧化硅層不但能緊緊地依附在硅襯底上，而旦具有非常穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和電絕緣性，因此氧化硅層在集成電路中起著極其重要的作用． ?摻雜是指將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成 PN結(jié)、電阻、歐姆接觸等各種結(jié)構(gòu)的目的． ?集成電路工藝中經(jīng)常采用的摻雜技術(shù)主要有擴(kuò)散和離子注入兩種． ?擴(kuò)散運(yùn)用于結(jié)較深 (＞ )、線條較粗 (＞ 3um)的器件；離子注入則適用于淺結(jié)與細(xì)線條圖形．兩者在功能上有一定的互補(bǔ)性，有時需要聯(lián)合使用． ?離子注入是將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，它的摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量、雜質(zhì)離子的質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目 (劑量 )決定 （ CVD） ?化學(xué)汽相淀積是指通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)，在襯底上淀積一層 薄膜材料 的過程。利用 CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的sio2 、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等。 ?金屬膜的形成方法： ?在集成電路工藝中，淀積金屬薄膜最常用的方法是蒸發(fā)和濺射，這兩種方法都屬于物理氣相淀積 (FVD)技術(shù)．少數(shù)金屬也可以來用CVD方法淀積。隔離質(zhì)量的優(yōu)劣對電路性能、成品率和可靠性等都有很大的影響． ? CMOS集成電路隔離工藝 ? MOS晶體管結(jié)構(gòu)本身具有自隔
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