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2025-06-17 13:59本頁面
【正文】 離子注入 ?刻蝕掉接觸孔中的氧化層 ?形成發(fā)射區(qū) ?光刻 5版 (發(fā)射區(qū)版 )，利用光刻膠將基極接觸孔保護(hù)起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔 ?進(jìn)行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū) ?金屬化 ?淀積金屬，一般是鋁或 AlSi、 PtSi合金等 ?光刻 6版 (連線版 )，形成金屬互連線 ?合金：使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘 ?形成鈍化層 ?在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅 ?光刻 7版 (鈍化版 ) ?刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形 接觸與互連 ?Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料 ?但 Al連線也存在一些比較嚴(yán)重的問題 ?電遷移嚴(yán)重、電阻率偏高、淺結(jié)穿透等 ?Cu連線工藝有望從根本上解決該問題 ?IBM、 Motorola等已經(jīng)開發(fā)成功 ?目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的70～ 80%；且連線的寬度越來越窄，電流密度迅速增加 ?幾個(gè)概念 ?場(chǎng)區(qū) ?有源區(qū) ?柵結(jié)構(gòu)材料 ?Al二氧化硅結(jié)構(gòu) ?多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu)
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