集成電路工藝原理-在線瀏覽
2024-09-02 00:26本頁面
【正文】 間隔范圍： ??2Wg ??最小分辨尺寸 gW ??m i ng＝ 10 mm， ?＝ 365 nm（ i線）時， Wmin?2 mm 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 17/34 投影式 —— 遠(yuǎn)場衍射（ Fraunhofer） 像平面遠(yuǎn)離孔徑，在孔徑和像之間設(shè)置鏡頭 愛里斑 df?df?＝ 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 18/34 瑞利給出恰可分辨兩個物點的判據(jù)： 點物 S1的愛里斑中心恰好與另一個點物 S2的愛里斑 邊緣（第一衍射極?。┫嘀睾蠒r，恰可分辨兩物點。 S1 S2 S1 S2 S1 S2 可分辨 不可分辨 恰可分辨 100% % 分辨率 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 19/34 兩個愛里斑之間的分辨率 (瑞利判據(jù) ): ?????s i n)s i n2(nfnfdfR ??＝?s i nnNA ?數(shù)值孔徑：收集衍射光的能力。根據(jù)瑞利判據(jù)： ???? c o s4/ ??? 很小時， 2/)]2/1(1[4/ 22 ????? ????NAfd ??? 2s i n ??焦深 NA?，焦深 ? ? 焦深 22 )( NAkDOF?? ??? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 22/34 焦深 像平面 光刻膠 IC技術(shù)中，焦深只有 1mm，甚至更小 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 23/34 調(diào)制傳遞函數(shù) MTF－－對比度 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 24/34 一般要求 MTF 與尺寸有關(guān) m i nm a xm i nm a xIIIIM T F??? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 25/34 MTF與光的部分相干度 S S= 光源直徑 s 聚光鏡直徑 d S增加，越來越不相干 一般 S＝ 或 S= NA聚光光路 NA投影光路 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 26/34 橫坐標(biāo)：歸一化的空間頻率，線條數(shù) /mm 空間頻率 ?＝ 1/(2W), W是等寬光柵的線條寬度， 2W即 Pitch 按照瑞利判據(jù)歸一化，即 ?0＝ 1/W0＝ 1/R＝ NA/? （截止頻率） 2W 線條
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