集成電路工藝原理(更新版)
【正文】 掩模版制作過程 12. Finished 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 10/34 成品率 Y: cANDeY 0??D0:單位面積缺陷數(shù)， Ac: 芯片面積， N: 掩膜版層數(shù) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 11/34 三種硅片曝光模式及系統(tǒng) 接觸式 接近式 投影式 1:1曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 12/34 掃描投影式光刻機原理圖 1:1曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 13/34 步進投影式光刻機原理圖 10:1 5:1 1:1 步進掃描光刻機 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 14/34 DSW－ direct step on wafer 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 15/34 接觸式和接近式 —— 近場衍射（ Fresnel） 像平面靠近孔徑，二者之間無鏡頭系統(tǒng) 曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 16/34 接觸和接近式 Fresnel衍射理論適用的間隔范圍： ??2Wg ??最小分辨尺寸 gW ??m i ng＝ 10 mm， ?＝ 365 nm（ i線）時， Wmin?2 mm 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 17/34 投影式 —— 遠場衍射（ Fraunhofer） 像平面遠離孔徑，在孔徑和像之間設(shè)置鏡頭 愛里斑 df?df?＝ 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 18/34 瑞利給出恰可分辨兩個物點的判據(jù)： 點物 S1的愛里斑中心恰好與另一個點物 S2的愛里斑 邊緣（第一衍射極?。┫嘀睾蠒r，恰可分辨兩物點。 靈敏度：單位面積的膠曝光所需的光能量： mJ/cm2 負(fù)膠 烴基高分子材料 正膠分辨率高于負(fù)膠 抗蝕性：刻蝕和離子注入 正膠 IC主導(dǎo) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 29/34 汞燈 436nm (g線 )和 365nm (i線 )光刻膠的組成 （正膠－ positive photoresist, DNQ） a) 基底：樹脂 是一種低分子量的酚醛樹脂 (novolac, a polymer) 本身溶于顯影液，溶解速率為 15 nm/
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