集成電路工藝原理-資料下載頁
2025-07-23 00:26本頁面
【正文】 d)工藝寬容度較高 （顯影液稀釋度、溫度等） e)價格較低 （約正膠的三分之一） 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 31/34 負膠的組成部分： a) 基底：合成環(huán)化橡膠樹脂 (cyclized synthetic rubber risin) 對光照不敏感，但在有機溶劑如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 雙芳化基 (bisarylazide) 當光照后，產(chǎn)生交聯(lián)的三維分子網(wǎng)絡，使光刻膠在顯影液中具有不溶性。 c)溶劑：芳香族化合物 (aromatic) 負膠顯影液 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 32/34 DUV深紫外光刻膠 傳統(tǒng) DNQ膠的問題： 對于 i線波長的光強烈吸收 汞燈在 DUV波段輸出光強不如 i線和 g線，因此靈敏度不夠 量子效率提高有限（最大為 1，一般 ) 化學增強光刻膠 PAG (photoacid generator) 原理： 入射光子與 PAG分子反應，產(chǎn)生酸分子，在后續(xù)的烘烤過程中，酸分子起催化劑作用，使曝光區(qū)域光刻膠改性 總量子效率 1，因此 DUV膠的靈敏度有很大提高 。 g線、 i線光刻膠靈敏度為 100 mJ/cm2， DUV膠為 20－ 40 mJ/cm2 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 33/34 DUV膠化學增強的基本原理 要求對于環(huán)境和工藝參數(shù)控制嚴格， PEB 溫度控制在幾分之一度。 PAG INSOL INSOL 聚合物長鏈 酸 INSOL INSOL 聚合物長鏈 SOL SOL 聚合物長鏈 酸 SOL INSOL 聚合物長鏈 酸 酸 曝光 曝光后烘烤 （PEB） 酸 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 34/34 本節(jié)課主要內容 基于衍射理論的光刻原理 投影式（遠場衍射）：分辨率、焦深、 MTF、不相干度 S NAkR ?1?22 )( NAkDO F?? ???gW ??m i n接觸 /接近式（近場衍射） :最小尺寸 光刻膠：正膠 /負膠 光刻膠的組成 i線 /g線（ PAC） DUV（ PAG） 掩模版制作 光刻機工作模式： 接觸式，接近式，投影式
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