集成電路工藝原理-全文預(yù)覽
【正文】 膜 (pellicle)保護(hù)防止顆粒玷污 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 9/34 掩模版制作過(guò)程 12. Finished 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 10/34 成品率 Y: cANDeY 0??D0:單位面積缺陷數(shù)， Ac: 芯片面積， N: 掩膜版層數(shù) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 11/34 三種硅片曝光模式及系統(tǒng) 接觸式 接近式 投影式 1:1曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 12/34 掃描投影式光刻機(jī)原理圖 1:1曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 13/34 步進(jìn)投影式光刻機(jī)原理圖 10:1 5:1 1:1 步進(jìn)掃描光刻機(jī) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 14/34 DSW－ direct step on wafer 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 15/34 接觸式和接近式 —— 近場(chǎng)衍射（ Fresnel） 像平面靠近孔徑，二者之間無(wú)鏡頭系統(tǒng) 曝光系統(tǒng) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 16/34 接觸和接近式 Fresnel衍射理論適用的間隔范圍： ??2Wg ??最小分辨尺寸 gW ??m i ng＝ 10 mm， ?＝ 365 nm（ i線）時(shí)， Wmin?2 mm 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 17/34 投影式 —— 遠(yuǎn)場(chǎng)衍射（ Fraunhofer） 像平面遠(yuǎn)離孔徑，在孔徑和像之間設(shè)置鏡頭 愛(ài)里斑 df?df?＝ 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 18/34 瑞利給出恰可分辨兩個(gè)物點(diǎn)的判據(jù)： 點(diǎn)物 S1的愛(ài)里斑中心恰好與另一個(gè)點(diǎn)物 S2的愛(ài)里斑 邊緣（第一衍射極?。┫嘀睾蠒r(shí)，恰可分辨兩物點(diǎn)。根據(jù)瑞利判據(jù)： ???? c o s4/ ??? 很小時(shí)， 2/)]2/1(1[4/ 22 ????? ????NAfd ??? 2s i n ??焦深 NA?，焦深 ? ? 焦深 22 )( NAkDOF?? ??? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 22/34 焦深 像平面 光刻膠 IC技術(shù)中，焦深只有 1mm，甚至更小 集成電路工藝原理
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