mos集成電路的基本制造工藝-資料下載頁
2025-07-25 19:09本頁面
【正文】 ，接觸孔腐蝕。 ? （ 13）淀積鋁，反刻鋁，形成鋁連線。 半導(dǎo)體集成電路 MOS工藝的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu) ? 自對準(zhǔn) 是一種在圓晶片上 用單個掩模形成不同區(qū)域的多層結(jié)構(gòu)的技術(shù)，它消除了用多片掩模所引起的對準(zhǔn)誤差 。在電路尺寸縮小時，這種有力的方法用得越來越多。 ? 有許多應(yīng)用這種技術(shù)的例子，例子之一是在多晶硅柵 MOS工藝中，利用多晶硅柵極對柵氧化層的掩蔽作用，可以實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)的源極和漏極的離子注入，如圖所示。 半導(dǎo)體集成電路 自對準(zhǔn)工藝 示意圖 半導(dǎo)體集成電路 自對準(zhǔn)工藝 ? 上圖中可見形成了圖形的 多晶硅條 用作離子注入工序中的 掩模 ，用自己的“身體”擋住離子向柵極下結(jié)構(gòu)（氧化層和半導(dǎo)體）的注入，同時使離子對半導(dǎo)體的注入正好發(fā)生在它的 兩側(cè) ，從而實(shí)現(xiàn)了 自對準(zhǔn) 。 ? 而且原來呈半絕緣的多晶硅本身在大量注入后變成 低電阻率的導(dǎo)電體 。 ? 可見多晶硅的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)“ 一箭三雕 ”之
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