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微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝雙極集成電路工藝-資料下載頁

2025-05-13 02:13本頁面
  

【正文】 孔 ? 進(jìn)行低能量、高劑量的砷離子注入,形成發(fā)射區(qū)和收集區(qū) 下一頁 上一頁 下一頁 上一頁 ? 金屬化 ? 淀積金屬,一般是鋁或 AlSi、 PtSi合金等 ? 光刻 7版 (連線版 ),形成金屬互連線 ? 合金:使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸,一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20~ 30分鐘 ? 形成鈍化層 ? 在低溫條件下 (小于 300℃) 淀積氮化硅 ? 光刻 7版 (鈍化版 ) ? 刻蝕氮化硅,形成鈍化圖形
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