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微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝雙極集成電路工藝(存儲版)

2025-06-22 02:13上一頁面

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【正文】 ? 初始氧化,熱生長厚度約為 500~ 1000nm的氧化層(隱埋擴(kuò)散的掩蔽層) ? 光刻 1版(埋層隔離版),利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉,并去掉光刻膠 ? 進(jìn)行大劑量 As+注入并退火,形成 n+埋層 雙極集成電路工藝 下一頁 上一頁 ? 生長 n型外延層 ? 利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層 ? 將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延,外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定 下一頁 上一頁 ? 形成橫向氧化物隔離區(qū)( I) ?
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