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正文內(nèi)容

微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝雙極集成電路工藝(編輯修改稿)

2025-06-18 02:13 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 熱生長(zhǎng)一層薄氧化層,厚度約 50nm ? 淀積一層氮化硅,厚度約 100nm ? 光刻 2版 (場(chǎng)區(qū)隔離版) 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? 形成橫向氧化物隔離區(qū)( II) ? 利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層 氧化層以及一半的外延硅層刻蝕掉 ? 進(jìn)行硼離子注入(形成溝道阻擋) 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? 形成橫向氧化物隔離區(qū)( III) ? 去掉光刻膠,把硅片放入氧化爐氧化,形成厚的場(chǎng)氧化層隔離區(qū) ? 去掉氮化硅層 下一頁(yè) 上一頁(yè) ?
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