集成電路制備工藝(編輯修改稿)
2025-01-26 12:24 本頁面
【文章內容簡介】 質離子的數(shù)目 (劑量 )決定 167。 摻雜 的均勻性好167。 溫度低：小于 600℃167。 可以精確控制雜質分布167。 可以注入各種各樣的元素167。 橫向擴展比擴散要小得多。167。 可以對化合物半導體進行摻雜微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ： 退火v退火 ：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火167。 激活雜質：使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產生自由載流子，起到雜質的作用167。 消除損傷v退火方式：167。 爐退火167。 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設備等 )微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ： 制膜微電子技術課程 ppt氧化工 藝氧化膜的生 長 方法，硅片放在 1000C左右的氧氣氣氛中生 長 氧化 層 。選擇 SiO2的原因l理想的 電絕緣 材料： eg大于 8eVl化學性 質 非常 穩(wěn) 定l室溫下只與 氫 氟酸 發(fā) 生化學反映l能很好的附著在大多數(shù)材料上l可生 長 或淀 積 在硅 圓 片上氧化膜的用途l光刻掩蔽（ 擴 散掩蔽 層 ，離子注入阻 擋層）lMOS管的 絕緣 柵 材料l電 路隔離或 絕緣 介 質 ，多 層 金屬 間 介 質l電 容介 質 材料l器件表面保 護 或 鈍 化膜濕氧氧化： 氧化速率高但 結 構略粗糙，制 備 厚二氧化硅薄膜干氧氧化： 結 構致密但氧化速率極低集成 電 路生 產 工 藝 ：制膜SiO2的制備方法v熱 氧化 法167。 干氧氧化167。 水蒸汽氧化167。 濕氧氧化167。 干氧－濕氧－干氧 (簡 稱干濕干 )氧化法167。 氫 氧合成氧化v化學氣相淀 積 法v熱 分解淀 積 法v濺 射法微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ：制膜化學汽相淀積 (CVD)v化學汽相淀 積 (ChemicalVaporDeposition)： 通過 氣 態(tài) 物 質 的化學反 應 在 襯 底上淀 積 一 層 薄膜材料的 過程vCVD技 術 特點：167。 具有淀 積 溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺 階 覆蓋 優(yōu) 良、適用范 圍 廣、 設備簡單等一系列 優(yōu) 點167。 CVD方法幾乎可以淀 積 集成 電 路工 藝 中所需要的各種薄膜，例如 摻雜 或不 摻雜 的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢 、 鉬 )等微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ：制膜常用的 CVD技術有：(1)常 壓 化學氣相淀 積 （ APCVD）；(2)低 壓 化學氣相淀 積 （ LPCVD）；(3)等離子增 強 化學氣相淀 積 （ PECVD）較為 常 見 的 CVD薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接稱 為 氧化 層 ） 氮化硅 多晶硅 難 熔金屬與 這類 金屬之其硅化物 微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ：制膜物 理氣相 淀 積 （ PVD） PVD主要是一種物理制程而非化學制程。此技 術 一般使用氬 等 鈍 氣體，在高真空中將 氬 離子加速以撞 擊濺鍍 靶材后，可將靶材原子一個個 濺擊 出來，并使被 濺擊 出來的材 質 （通常 為鋁 、 鈦 或其合金）如雪片般沉 積 在晶 圓 表面。 PVD以真空、 濺 射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化 氫 、氮氣等氣體作用，加熱至 400～600℃ （約 1～ 3小時）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等 1～ 10μm厚之微細粒狀薄膜?！?PVD可分為三種技術： (1)蒸鍍（ Evaporation）； (2)分子束外延成長（ Molecular Beam Epitaxy MBE）； (3)濺鍍（ Sputter）微電子技術課程 ppt集成 電 路生 產 工 藝 ：制膜物理氣相淀 積 （ PVD）v PVD技 術 有兩種基本工 藝 ：蒸 鍍 法和 濺鍍 法。前者是通 過 把被蒸 鍍 物 質
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1