集成電路制造工藝微電子(編輯修改稿)
2025-05-27 13:59 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 集成電路一般采用 (100)晶向的硅材料 AA 雙極集成電路 制造工藝 ?制作埋層 ?初始氧化，熱生長(zhǎng)厚度約為 500～ 1000nm的氧化層 ?光刻 1版 (埋層版 )，利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉，并去掉光刻膠 ?進(jìn)行大劑量 As+注入并退火，形成 n+埋層 雙極集成電路工藝 ?生長(zhǎng) n型外延層 ?利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層 ?將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定 ?形成橫向氧化物隔離區(qū) ?熱生長(zhǎng)一層薄氧化層，厚度約 50nm ?淀積一層氮化硅，厚度約 100nm ?光刻 2版 (場(chǎng)區(qū)隔離版 ?形成橫向氧化物隔離區(qū) ?利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層 氧化層以及一半的外延硅層刻蝕掉 ?進(jìn)行硼離子注入 ?形成橫向氧化物隔離區(qū) ?去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場(chǎng)氧化層隔離區(qū) ?去掉氮化硅層 ?形成基區(qū) ?光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū) ?基區(qū)離子注入硼 ?形成接觸孔： ?光刻 4版 (基區(qū)接觸孔版 ) ?進(jìn)行大劑量硼
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