集成電路制造工藝微電子-資料下載頁
2025-04-30 13:59本頁面
【正文】 ?難熔金屬硅化物 /多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu) ?Salicide工藝 ?淀積多晶硅、刻蝕并形成側(cè)壁氧化層； ?淀積 Ti或 Co等難熔金屬 ?RTP并選擇腐蝕側(cè)壁氧化層上的金屬； ?最后形成 Salicide結(jié)構(gòu) 隔離技術(shù) ?PN結(jié)隔離 ?場(chǎng)區(qū)隔離 ?絕緣介質(zhì)隔離 ?溝槽隔離 LOCOS隔離工藝 溝槽隔離工藝 集成電路封裝工藝流程 各種封裝類型 示意圖 集成電路工藝小結(jié) ?前工序 ?圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù) ?薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積 (如濺射、蒸發(fā) ) 等 ?摻雜技術(shù)：主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù) 集成電路工藝小結(jié) ?后工序 ?劃片 ?封裝 ?測(cè)試 ?老化 ?篩選 集成電路工藝小結(jié) ?輔助工序 ?超凈廠房技術(shù) ?超純水、高純氣體制備技術(shù) ?光刻掩膜版制備技術(shù) ?材料準(zhǔn)備技術(shù) 作 業(yè) ?設(shè)計(jì)制備 NMOSFET的工藝，并畫出流程圖
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