【總結(jié)】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學與技術專業(yè)(微電子技術方向和光電子技術方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導體集成電路、晶體管原理與設計和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時間暫定在第五學期。2.參考教材:《半導體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
2025-06-25 19:01
【總結(jié)】集成電路制造工藝北京大學?集成電路設計與制造的主要流程框架設計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設計過程:設計創(chuàng)意+仿真驗證集成電路芯片設計過
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】微電子學概論第三章大規(guī)模集成電路基礎(FundamentalsofLargeScaleIntergratedCircuit)?導論?半導體集成電路概述?CMOS集成電路基礎?半導體存儲器集成電路參考書第三章大規(guī)模集成電路基礎
2024-07-29 05:00
【總結(jié)】電信學院微電子學系1微電子制造技術微電子制造技術第9章IC制造工藝概況電信學院微電子學系2微電子制造技術引言典型的半導體IC制造可能要花費6~8周時間
2025-04-30 12:11
【總結(jié)】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設計?封裝技術3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38
【總結(jié)】國際微電子中心集成電路設計原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設計的基礎。國際微電子中心集成電路設計原理2?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工藝、提高集成度和速度。?設計工作由有生產(chǎn)線集成
2025-01-06 18:34
【總結(jié)】復習1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應,生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展狀況?集成電路工藝特點與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學家已于實驗室展開對半導體的研究。?1874年,電報機、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-06 13:18
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2024-08-01 00:26
【總結(jié)】半導體半導體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAA’
2025-03-01 04:35
【總結(jié)】國際微電子中心集成電路設計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設計的基礎。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-15 05:39
【總結(jié)】半導體半導體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【總結(jié)】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應,生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
【總結(jié)】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導體元件制造過程可分為
2025-01-06 18:46
【總結(jié)】集成電路工藝原理復旦大學微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導體集成電路工藝原理2第四章擴散(Diffusion)§引言§擴散機理§擴散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-18 20:36