集成電路制造工藝及設(shè)備-資料下載頁
2025-04-30 13:59本頁面
【正文】 如果靶材是絕緣介質(zhì)或?qū)щ姲猩鲜芙^緣介質(zhì)污染時(shí)，相當(dāng)于在等離子體與陰極之間有一個(gè)電容器，采用直流電源實(shí)現(xiàn)濺射存在困難，所以對于絕緣靶的濺射一般采用射頻（ RF）電源，但是它必須要在硅片與靶之間加一個(gè)直流偏壓。 ～ 射頻濺射 直流濺射 + E C 靶 載片臺 PECVD PECVD是讓兩種反應(yīng)氣體在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如： PECVD淀積Si3N4 。 3SiH4 ＋ 4NH3 → Si 3N4 ＋ 12H2 它的化學(xué)反應(yīng)同 LPCVD完全一樣，差別就是反應(yīng)的溫度不同。 ～ 射頻濺射 E C 濺射同 PECVD的差別 RF電源 真空泵 反應(yīng)氣體 靶 載片臺 PECVD 濺射通常使用 Ar氣，荷能正離子把靶材上的原子濺射到硅片上，而 PECVD是兩種反應(yīng)氣體在等離子體中分解為具有高活性的反應(yīng)粒子，這些活性反應(yīng)粒子在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。 等離子體刻蝕 物理方法干法刻蝕是利用輝光放電將惰性氣體，例如氬氣（ Ar），解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，轟擊被刻蝕物的表面，并將被刻蝕物材料的原子擊出。整個(gè)過程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)移，所以稱為物理性刻蝕。 物理干法刻蝕 直流濺射 + 靶 載片臺 物理方法干法刻蝕同濺射的差別 RF 陰極 陽極（或離子源） Ar 抽真空 RIE是反應(yīng)離子刻蝕，它依靠低壓刻蝕氣體在電場加速作用下輝光放電而生成帶電離子、分子、電子以及化學(xué)活性很強(qiáng)的原子團(tuán)，這些原子團(tuán)擴(kuò)散到被刻蝕材料表面，與被刻蝕材料表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物并隨氣流被真空泵抽走，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕。而 PECVD是兩種反應(yīng)氣體在等離子體中分解為具有高活性的反應(yīng)粒子，這些活性反應(yīng)粒子在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。襯底需要加熱。 RIE同 PECVD的差別 生長 SiO2 腐蝕 SiO2 淀積多晶硅 光刻 P S iSiO2 光刻多晶硅 PolySi 6. MEMS器件制造 要選擇好合適的犧牲層！ 管芯 （ Chip） 外殼 （ package） 器件 （ device） ＋ packaging 封裝工藝 封裝就是給管芯（ chip）與線路板（ PCB）之間提供信號互連、電源分配、機(jī)械支撐、環(huán)境保護(hù)和導(dǎo)熱通道。 7. 封裝工藝 關(guān)于考試 1. 閉卷考試； 2. 考試時(shí)間 （ 等通知） 3. 考試地點(diǎn)（等通知） 4. 需要攜帶計(jì)算器，畫圖時(shí)可用直尺也可不用。
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