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2025-04-27 13:59 本頁面
【正文】 RIE同 PECVD的差別 生長 SiO2 腐蝕 SiO2 淀積多晶硅 光刻 P S iSiO2 光刻多晶硅 PolySi 6. MEMS器件制造 要選擇好合適的犧牲層！ 管芯 （ Chip） 外殼 （ package） 器件 （ device） ＋ packaging 封裝工藝 封裝就是給管芯（ chip）與線路板（ PCB）之間提供信號互連、電源分配、機械支撐、環(huán)境保護和導熱通道。整個過程完全是物理上的能量轉移，所以稱為物理性刻蝕。 ～ 射頻濺射 直流濺射 + E C 靶 載片臺 PECVD PECVD是讓兩種反應氣體在襯底表面發(fā)生化學反應，如： PECVD淀積Si3N4 。 ■ 鋁硅之間容易產(chǎn)生“鋁釘”，深度可 達 1μm，所以對于淺結工藝很容易造 成 PN結短路。它最重要的性質(zhì)是對 H2O、 O2 、 Na、 Al、Ga、 In等都具有極強的擴散阻擋能力。 采用 LPCVD、 PECVD或濺射等方式制作薄膜的最大優(yōu)點是工作溫度比較低，其中 LTO 的工作溫度是 620℃ 左右， PECVD方式淀積 SiO2的溫度可以在 200 ℃ 以下。 ● 好的電學性能。 ● 好的厚度均勻性。 投影式曝光 光刻工藝中的投影式曝光分 1 : 4 : 5 : 1幾種。 圖形轉移工藝 襯底 淀積薄膜 勻膠、前烘 曝 光 掩模版 紫外光 顯影、堅膜 腐 蝕 去 膠 S i S i正膠 負膠 勻膠 正膠和負膠 曝光 ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ 掩膜版 紫外光 顯影 正膠感光區(qū)域溶于顯影液 負膠未感光區(qū)域溶于顯影液 光學曝光的三種曝光方式 接觸式曝光 接近式曝光 投影式曝光 接觸式曝光 接觸式曝光是掩膜板直接同光刻膠接觸，它具有設備簡單、分辨率高的優(yōu)點。最常用的是在 950℃ 高溫爐中在氮氣保護下，退火 15～ 30分鐘。 例題：如果注入劑量是 5 1015，束流1mA，求注入一片 6英寸硅片的時間 ISqNt S?t=（ 1019 5 1015 ） / 1 103 =141秒 根據(jù)公式 （ 46） 注入劑量、標準偏差和峰值濃度之間的近似關系： pSRNN??m a x（ 6 14
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