集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文-wenkub.com
2025-01-06 12:24 本頁面
【正文】 2023年 1月 上午 2時 41分 :41January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 02:41:2802:41:2802:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 上午 2時 41分 28秒 上午 2時 41分 02:41: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 41分 28秒 02:41: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 1月 上午 2時 41分 :41January 24, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 02:41:2802:41:2802:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 35 ? ，芯片面積逐漸增大 (1) 微缺陷對芯片的影響增大 (2) 器件參數(shù)對單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的 密度，分布特點(diǎn)，電活性等更加敏感 集成電路的發(fā)展對硅片的要求 36 ? ，硅圓片的直徑越來越大 (1) 硅片電參數(shù)徑向均勻性問題 (2) 硅片平整度問題 ? 淺表層 ? ? 5. 金屬和介質(zhì)薄膜淀積的層數(shù)越來越多 37 本章重點(diǎn)： ? ? ? (課本 P22) ? 38 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 4 切片 硅單晶的加工： 切割 研磨 拋光 30 31 二 硅單晶的研磨 1 目的： 去除切片中殘留的表面損傷，晶圓表面完全平整； 2 磨片： 研磨晶圓，精調(diào)到半導(dǎo)體使用的要求。收肩后保持晶體直徑不變，就是等徑生長。這稱為 “ 放肩 ” 。 此時 要控制好溫度， 當(dāng)籽晶與熔體液面接觸，浸潤良好時，可開始緩慢提拉，隨著籽晶上升硅在籽晶頭部結(jié)晶，這一步驟叫 “ 引晶 ” ，又稱 “ 下種 ” 。 15 ? 多晶硅的制備 ? 單晶硅制備 ? 單晶硅性能測試 ? 單晶硅加工，形成晶圓 16 多晶硅的制備方法 ? 四氯化硅還原法 ? 三氯氫硅氫還原法 ? 硅烷熱分解法 17 ? 石英砂的主要成份是二氧化 硅 ? 從沙到冶金級硅 (MGSmetallurgical grade(MG) silicon純度 98％～ 99％ ) ? MGS 粉末放 進(jìn)反應(yīng)爐 和 氯化氫反應(yīng) 生 三 氯硅烷(TCS) ? 經(jīng)由氣化和凝結(jié)過程純化三氯硅烷 ? 三氯硅烷和氫氣反應(yīng)生成 電子級硅材料 (EGS) ? EGS熔化和晶 體 提拉 制備單晶硅 直拉法 懸浮區(qū)
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