集成電路原理制造工藝及原理技術--期末論文-免費閱讀
【正文】 :41:2802:41:28January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 2時 41分 :41January 24, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 上午 2時 41分 28秒 上午 2時 41分 02:41: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 ： 晶體生長所需長度后， 拉速不變，升高熔體溫度 或 熔體溫度不變，加快拉速， 使晶體脫離熔體液面。其目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯的延伸。其導電性介于 104 – 1010 歐厘米。 共價鍵夾角： 109?28’ 13 ?100,111平面是單晶晶圓中最常用的方向。 +4 +4 +4 +4 4 雜質(zhì)半導體 在本征半導體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。 2 硅的共價鍵結構 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 3 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以 本征半導體的導電能力很弱。這種現(xiàn)象后來被稱為“光生伏打效應”，簡稱“光伏效應” 。 ? 太陽能級硅 (SG)：純度介于冶金級硅與電子級硅之間，至今未有明確界定。C 融熔的矽 26 直拉法生長單晶硅 27 工藝過程 (掌握 ) ： 當溫度穩(wěn)定時，可將籽晶與熔體接觸。 ：當晶體直徑到達所需尺寸后，提高拉速，使晶體直徑不再增大，稱為 收肩 。 3 化學腐蝕液 ：用于腐蝕晶圓表面 4 機械摩擦： 同時去掉不平整的區(qū)域，獲得最平整的晶圓表面。 。 :41:2802:41:28January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 :41:2802:41Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 2023年 1月 24日星期二 2時 41分 28秒 02:41:2824 January 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 :41:2802:41Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 :41:2802:41:28January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 32 化學機械研磨製程 研磨液 研磨墊 壓力 晶圓夾具 晶圓 33 34 三
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