集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文(編輯修改稿)
2025-01-26 12:24 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 176。 C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級(jí)矽 二氧化碳 19 制備 TCS（ 三 氯硅烷 ） Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過(guò)濾器 冷凝器 純化器 %純度的三氯矽烷 反應(yīng)器 , 300 ?C 20 加熱 (1100 176。 C) SiHCl 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級(jí)矽材料 氯化氫 電子級(jí)硅 材料 21 反應(yīng)室 液態(tài)三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應(yīng)室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級(jí)矽材料 22 電子級(jí)硅 材料 23 ： 晶體主流生長(zhǎng)技術(shù) 1）設(shè)備： 石英坩堝、高頻加熱線圈等 2）材料： 半導(dǎo)體多晶材料和摻雜物、籽晶 3）條件： （ 1）結(jié)晶溫度（ 2）結(jié)晶中心 單晶硅的制備 直拉法生長(zhǎng)硅單晶 24 25 直拉法 :切 克洛斯基 (CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 176。C 融熔的矽 26 直拉法生長(zhǎng)單晶硅 27 工藝過(guò)程 (掌握 ) ： 當(dāng)溫度穩(wěn)定時(shí)，可將籽晶與熔體接觸。 此時(shí) 要控制好溫度， 當(dāng)籽晶與熔體液面接觸，浸潤(rùn)良好時(shí)，可開(kāi)始緩慢提拉，隨著籽晶上升硅在籽晶頭部結(jié)晶，這一步驟叫 “ 引晶 ” ，又稱(chēng) “ 下種 ” 。 ： “ 縮頸 ” 是指在引晶后略為降低溫度，提高拉速，拉一段直徑比籽晶細(xì)的部分。其目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸。頸一般要長(zhǎng)于 20mm 28 ： 縮頸工藝完成后，略降低溫度，讓晶體逐漸長(zhǎng)大到所需的直徑為止。這稱(chēng)為 “ 放肩 ” 。 在放肩時(shí)可判別晶體是否是單晶 ，否則要將其熔掉重新引晶。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別，111方向應(yīng)有對(duì)稱(chēng)三條棱， 100方向有對(duì)稱(chēng)的四條棱。 ：當(dāng)晶體直徑到達(dá)所需尺寸后，提高拉速，使晶體直徑不再增大，稱(chēng)為 收肩 。收肩后保持晶體直徑不變，就是等徑生長(zhǎng)。此時(shí)要 嚴(yán)格控制溫度和拉速不變。 ： 晶體生長(zhǎng)所需長(zhǎng)度后， 拉速不變，升高熔體溫度 或 熔體溫度不變，加快拉速， 使晶體脫離熔體液面。 29 一 單晶硅的切割
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