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正文內(nèi)容

集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文(編輯修改稿)

2025-01-26 12:24 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 176。 C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級(jí)矽 二氧化碳 19 制備 TCS( 三 氯硅烷 ) Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過(guò)濾器 冷凝器 純化器 %純度的三氯矽烷 反應(yīng)器 , 300 ?C 20 加熱 (1100 176。 C) SiHCl 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級(jí)矽材料 氯化氫 電子級(jí)硅 材料 21 反應(yīng)室 液態(tài)三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應(yīng)室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級(jí)矽材料 22 電子級(jí)硅 材料 23 : 晶體主流生長(zhǎng)技術(shù) 1)設(shè)備: 石英坩堝、高頻加熱線圈等 2)材料: 半導(dǎo)體多晶材料和摻雜物、籽晶 3)條件: ( 1)結(jié)晶溫度( 2)結(jié)晶中心 單晶硅的制備 直拉法生長(zhǎng)硅單晶 24 25 直拉法 :切 克洛斯基 (CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 176。C 融熔的矽 26 直拉法生長(zhǎng)單晶硅 27 工藝過(guò)程 (掌握 ) : 當(dāng)溫度穩(wěn)定時(shí),可將籽晶與熔體接觸。 此時(shí) 要控制好溫度, 當(dāng)籽晶與熔體液面接觸,浸潤(rùn)良好時(shí),可開(kāi)始緩慢提拉,隨著籽晶上升硅在籽晶頭部結(jié)晶,這一步驟叫 “ 引晶 ” ,又稱 “ 下種 ” 。 : “ 縮頸 ” 是指在引晶后略為降低溫度,提高拉速,拉一段直徑比籽晶細(xì)的部分。其目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸。頸一般要長(zhǎng)于 20mm 28 : 縮頸工藝完成后,略降低溫度,讓晶體逐漸長(zhǎng)大到所需的直徑為止。這稱為 “ 放肩 ” 。 在放肩時(shí)可判別晶體是否是單晶 ,否則要將其熔掉重新引晶。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別,111方向應(yīng)有對(duì)稱三條棱, 100方向有對(duì)稱的四條棱。 :當(dāng)晶體直徑到達(dá)所需尺寸后,提高拉速,使晶體直徑不再增大,稱為 收肩 。收肩后保持晶體直徑不變,就是等徑生長(zhǎng)。此時(shí)要 嚴(yán)格控制溫度和拉速不變。 : 晶體生長(zhǎng)所需長(zhǎng)度后, 拉速不變,升高熔體溫度 或 熔體溫度不變,加快拉速, 使晶體脫離熔體液面。 29 一 單晶硅的切割
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