集成電路原理制造工藝及原理技術--期末論文(編輯修改稿)
2025-01-26 12:24 本頁面
【文章內容簡介】 176。 C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級矽 二氧化碳 19 制備 TCS（ 三 氯硅烷 ） Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過濾器 冷凝器 純化器 %純度的三氯矽烷 反應器 , 300 ?C 20 加熱 (1100 176。 C) SiHCl 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級矽材料 氯化氫 電子級硅 材料 21 反應室 液態(tài)三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級矽材料 22 電子級硅 材料 23 ： 晶體主流生長技術 1）設備： 石英坩堝、高頻加熱線圈等 2）材料： 半導體多晶材料和摻雜物、籽晶 3）條件： （ 1）結晶溫度（ 2）結晶中心 單晶硅的制備 直拉法生長硅單晶 24 25 直拉法 :切 克洛斯基 (CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 176。C 融熔的矽 26 直拉法生長單晶硅 27 工藝過程 (掌握 ) ： 當溫度穩(wěn)定時，可將籽晶與熔體接觸。 此時 要控制好溫度， 當籽晶與熔體液面接觸，浸潤良好時，可開始緩慢提拉，隨著籽晶上升硅在籽晶頭部結晶，這一步驟叫 “ 引晶 ” ，又稱 “ 下種 ” 。 ： “ 縮頸 ” 是指在引晶后略為降低溫度，提高拉速，拉一段直徑比籽晶細的部分。其目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內原有位錯的延伸。頸一般要長于 20mm 28 ： 縮頸工藝完成后，略降低溫度，讓晶體逐漸長大到所需的直徑為止。這稱為 “ 放肩 ” 。 在放肩時可判別晶體是否是單晶 ，否則要將其熔掉重新引晶。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別，111方向應有對稱三條棱， 100方向有對稱的四條棱。 ：當晶體直徑到達所需尺寸后，提高拉速，使晶體直徑不再增大，稱為 收肩 。收肩后保持晶體直徑不變，就是等徑生長。此時要 嚴格控制溫度和拉速不變。 ： 晶體生長所需長度后， 拉速不變，升高熔體溫度 或 熔體溫度不變，加快拉速， 使晶體脫離熔體液面。 29 一 單晶硅的切割
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