集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文(專業(yè)版)
【正文】 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 41分 28秒 02:41: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別，111方向應(yīng)有對稱三條棱， 100方向有對稱的四條棱。一般含 Si 高達(dá) % 以上。 ? 摻雜半導(dǎo)體： 半導(dǎo)體材料對雜質(zhì)的敏感性非常強 ， 例如在 Si中摻入千萬分之一的磷 ( P )或者硼 （ B） ， 就會使電阻率降低 20萬倍 。 ?100的晶圓較常用來作 金屬氧化物半導(dǎo)體 集成電路 ?111方向 的晶圓則通常用來制造雙極型晶體管和集成電路 ，因為111方向的原子表面密度高，故該面較為堅固且比較適合高功率的元件。頸一般要長于 20mm 28 ： 縮頸工藝完成后，略降低溫度，讓晶體逐漸長大到所需的直徑為止。 :41:2802:41Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 2023年 1月 24日星期二 2時 41分 28秒 02:41:2824 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。勝人者有力，自勝者強。 2023年 1月 24日星期二 2時 41分 28秒 02:41:2824 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。此時要 嚴(yán)格控制溫度和拉速不變。 主要用于 太陽能電池芯片 的生產(chǎn)制造 ? 電子級硅（ EG）：一般要求含 Si %以上，超高純達(dá)到 %～ %（ 9～ 11個 9）。 共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 伏特效應(yīng) 10 物質(zhì)分為 晶體 (單晶，多晶 )和非晶體 單晶體 :由原子或分子在空間按一定規(guī)律周期性地重復(fù)排列構(gòu)成的固體物質(zhì)。 此時 要控制好溫度， 當(dāng)籽晶與熔體液面接觸，浸潤良好時，可開始緩慢提拉，隨著籽晶上升硅在籽晶頭部結(jié)晶，這一步驟叫 “ 引晶 ” ，又稱 “ 下種 ” 。 35 ? ，芯片面積逐漸增大 (1) 微缺陷對芯片的影響增大 (2) 器件參數(shù)對單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的 密度，分布特點，電活性等更加敏感 集成電路的發(fā)展對硅片的要求 36 ? ，硅圓片的直徑越來越大 (1) 硅片電參數(shù)徑向均勻性問題 (2) 硅片平整度問題 ? 淺表層 ? ? 5. 金屬和介質(zhì)薄膜淀積的層數(shù)越來越多 37 本章重點： ? ? ? (課本 P22) ? 38 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 41分 28秒
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