【摘要】?????5.集成電路的發(fā)展對硅片的要求1半導(dǎo)體材料?目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有:元素半導(dǎo)體(SiGe)化合物半導(dǎo)體(GaAs)?本征半導(dǎo)體:不含任何雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體,其純度在%(8~10個9)。
2025-01-10 12:24
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
2025-06-28 03:24
2025-06-28 19:01
【摘要】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-10 13:40
【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2024-08-03 00:26
【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-21 20:36
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-05-03 18:17
【摘要】現(xiàn)代集成電路制造工藝原理山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院王曉鯤第十一章淀積?膜淀積?化學(xué)氣相淀積?CVD淀積系統(tǒng)?介質(zhì)及其性能?旋涂絕緣介質(zhì)?外延薄膜和薄膜淀積?薄膜,指一種在襯底上生長的薄固體物質(zhì)。?薄膜淀積,是指任何在硅片襯底上物理淀積一層膜的工藝。這層膜可
2025-02-09 11:09
【摘要】集成電路工藝原理相關(guān)試題-----------------------作者:-----------------------日期:一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級硅),英文簡稱(GSG),有時也被稱為(電子級硅)。2.單晶硅生長常用(
2025-03-29 05:15
【摘要】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-18 16:29
【摘要】一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級硅),英文簡稱(GSG),有時也被稱為(電子級硅)。2.單晶硅生長常用(CZ法)和(區(qū)熔法)兩種生長方式,生長后的單晶硅被稱為(硅錠)。3.晶圓的英文是(wafer),其常用的材料是(硅)和(鍺)。4.晶圓制
2025-03-29 05:14
【摘要】集成電路版圖設(shè)計與驗(yàn)證第三章集成電路制造工藝?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。?每個晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開,以防止器件之間的相互影響。?下圖為采用場氧化層隔離技術(shù)制造的NPN晶體管的截面圖,制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡要工藝流程如下所示:?(1)原始材料選取:制作N
2025-01-08 18:43
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
【摘要】集成電路工藝原理第十二章未來趨勢與挑戰(zhàn)集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室1集成電路工藝原理第十二章未來趨勢與挑戰(zhàn)大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章熱擴(kuò)散第七章
2025-01-08 18:44
2025-05-03 13:59