半導體器件物理chapter4集成電路制造工藝(專業(yè)版)
【正文】 二月 2104:47:5404:47Feb2101Feb21? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 。化學汽相淀積 (CVD)? 化學汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition)：通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應在襯底上淀積一層薄膜材料的過程。q可以注入各種各樣的元素并可以對化合物半導體進行摻雜。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。q正膠（曝光后可溶）：分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠。q負膠（曝光后不可溶） ：分辨率差，適于加工線寬≥ 3?m的 線條。目前， RIE已成為 VLSI工藝中應用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。q多數(shù)注入離子停留在與硅晶格位置不一致的位置上，不具有電活性，需要退火處理，激發(fā)電活性。? CVD技術(shù)特點： –具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設備簡單等一系列優(yōu)點。 二月 214:47 上午 二月 2104:47February 01, 2023? 1行動出成果，工作出財富。 04:47:5404:47:5404:47Monday, February 01, 2023? 1知人者智，自知者明。 04:47:5404:47:5404:472/1/2023 4:47:54 AM? 1越是沒有本領的就越加自命不凡。 01 二月 20234:47:53 上午 04:47:53二月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。? 作為對器件和電路進行鈍化的鈍化層材料。q低溫（ ?600 oC）、摻雜均勻性好、離子注入劑量可精確控制，重復性好、橫向擴散比縱向擴散小得多。v反應離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡稱為 RIE)：過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕。 –光刻膠受到特定波長光線的作用后，導致其化學結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變。? 插圖 正膠：曝光后可溶負膠：曝光后不可溶亮場版和暗場版曝光的幾種方法q接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。摻雜工藝（ Doping）q摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導體區(qū)域中，以達到改變半導體電學性質(zhì)，形成 PN結(jié)、電阻、歐姆接觸。離子注
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