半導(dǎo)體器件物理chapter4集成電路制造工藝-wenkub
2023-03-20 12:22:13 本頁面
【正文】 濕法刻蝕 ： 利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法。? 插圖 正膠：曝光后可溶負(fù)膠：曝光后不可溶亮場版和暗場版曝光的幾種方法q接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。光刻工藝流程q光刻三要素： 光刻膠、掩膜版和光刻機 –光刻膠又叫光致抗蝕劑，它是由光敏化合物、 基體樹脂和有機溶劑等混合而成的膠狀液體。? 摻雜：根據(jù)設(shè)計的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等。? 制膜：制作各種材料的薄膜。 –光刻膠受到特定波長光線的作用后，導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變。q接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙(10～ 25mm)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低。v濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。? 干法刻蝕 ：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基 (處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團等 )與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的。v反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡稱為 RIE)：過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。q摻入的雜質(zhì)主要是： 磷 (P)、砷 (As) —— N型硅 硼 (B) —— P型硅q摻雜工藝主要包括：擴散（ diffusion)、離子注入 (ion implantation)。q選擇性擴散：用氧化層作為雜質(zhì)擴散的掩蔽層。q擴散適于結(jié)較深（ ??m)、線條較粗 （ ?3?m)器件。q低溫（ ?600 oC）、摻雜均勻性好、離子注入劑量可精確控制，重復(fù)性好、橫向擴散比縱向擴散小得多。 –激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用。水蒸汽氧化216。? 擴散時的掩蔽層，離子注入的 (有時與光刻膠、Si3N4層一起使用 )阻擋層。? 作為對器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料。252。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種。 04:47:5304:47:5304:472/1/2023 4:47:53 AM? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 01 二月 20234:47:53 上午 04:47:53二月 21
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