半導體器件物理chapter4集成電路制造工藝-免費閱讀
【正文】 01 二月 20234:47:54 上午 04:47:54二月 21? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023/2/1 4:47:5404:47:5401 February 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 二月 2104:47:5304:47Feb2101Feb21? 1故人江海別，幾度隔山川。常壓化學汽相淀積 (APCVD)252。? 作為集成電路的隔離介質材料。 –消除損傷v退火方式： –爐退火 –快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設備等 )。? 插 fig. 13, , 。擴散q擴散由雜質、溫度物質決定的擴散系數來決定。v濺射與離子束銑蝕：通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕，各向異性性好，但選擇性較差。q投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式?；静襟E：硅片準備、 外延、 氧化、 摻雜、 淀積、 刻蝕、 光刻硅片準備光刻 （ Lithography） 圖形轉移：將設計在掩膜版 (類似于照相底片 )上的圖形轉移到半導體單晶片上。光刻的基本原理：利用光敏抗蝕涂層（光刻膠）發(fā)生光化學反應，結合刻蝕方法在各種薄膜上生成合乎要求的圖形，以實現、形成金屬電極和布線或表面鈍化的目的。（ 特征尺寸： ?m)超細線條光刻技術（ 特征尺寸： ?m)v甚遠紫外線 (EUV)v電子束光刻vX射線v離子束光刻特征尺寸 — 工藝水平的標志：在保證一定成品率的最細光刻線條。v等離子刻蝕 (Plasma Etching)：利用放電產生的游離基與材料發(fā)生化學反應，形成揮發(fā)物，實現刻蝕。q替位式擴散：溫度高，擴散系數低。液態(tài)源擴散固態(tài)源擴散q離子注入：將具有很高能量的雜質離子射入半導體襯底中的摻雜技術，摻雜深度由注入雜質離子的能量和質量決定，摻雜濃度由注入雜質離子的數目 (劑量 )決定。氧化（ Oxidation）v氧化：制備 SiO2層vSiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學性質
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