半導(dǎo)體器件物理chapter4集成電路制造工藝-文庫吧在線文庫
【正文】 圖 圖形轉(zhuǎn)移：刻蝕技術(shù)? 濕法刻蝕 ： 利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差。 間隙式擴(kuò)散：溫度低，擴(kuò)散系數(shù)高（比替位式擴(kuò)散大6~7個(gè)數(shù)量級(jí)），必須嚴(yán)防間隙雜質(zhì)進(jìn)入擴(kuò)散、氧化、退火系統(tǒng)。q離子注入的深度由注入離子的能量和離子的質(zhì)量決定，可以得到精確結(jié)深，尤其是淺結(jié)。干氧氧化216。? 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料。等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積 (PECVD)物理氣相淀積 (PVD)? 蒸發(fā)（ Evaporation）：在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。 二月 21二月 2104:47:5304:47:53February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 二月 2104:47:5404:47Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無限完美。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023/2/1 4:47:5404:47:5401 February 2023? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 。 2023/2/1 4:47:5404:47:5401 February 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 –CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的 各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等。氫氧合成氧化v化學(xué)氣相淀積法v濺射法氧化硅層的主要作用? 在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分。離子注入退火（ Annealing）v退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。q兩步擴(kuò)散法： ?事先進(jìn)行預(yù)擴(kuò)散（預(yù)淀積），?再擴(kuò)散使擴(kuò)散層推進(jìn)到預(yù)期的深度（再擴(kuò)散）。摻雜工藝（ Doping）q摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成 PN結(jié)、電阻、歐姆
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