集成電路制造工藝課件(ppt34頁)-文庫吧在線文庫
【正文】 :4224 January 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 40分 42秒 02:40:4224 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 CMOS集成電路 中的工藝集成 MOS集成電路工藝的發(fā)展： ? 70－ 80年代， nMOS為 IC主流技術(shù)： 多晶硅柵替代鋁柵，源漏自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)； 離子注入技術(shù)提高溝道和源漏區(qū)摻雜的控制能力 ? 80年代之后， CMOS工藝成為 IC主流技術(shù)： 帶側(cè)墻的漏端輕摻雜結(jié)構(gòu)；自對準(zhǔn)硅化物技術(shù)；淺槽隔離技術(shù)；氮化二 氧化硅柵介質(zhì)材料；暈環(huán)技術(shù)；雙摻雜多晶硅技術(shù)；化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP）；大馬士革鑲嵌工藝和銅互連技術(shù) ?今后發(fā)展趨勢： 超薄 SOI CMOS器件，納米硅器件，雙柵器件等 天津工業(yè)大學(xué) CMOS工藝中的基本模塊及對器件性能的影響 CMOS IC中的 阱 : ?單阱（ Single Well） ?雙阱（ Twin Well ） ?自對準(zhǔn)雙阱（ Selfaligned Twin Well） ?阱的制備工藝： ? 高能離子注入 ? 高溫退火雜質(zhì)推進(jìn) 天津工業(yè)大學(xué) 單阱 P阱 CMOS （靜態(tài)邏輯電路） N阱 CMOS （動(dòng)態(tài)邏輯電路） 天津工業(yè)大學(xué) 雙阱 ?需要兩塊掩模版 ?更平坦的表面 ?先進(jìn) CMOS IC工藝中最常用的 天津工業(yè)大學(xué) 自對準(zhǔn)雙阱工藝 優(yōu)點(diǎn)： 只需要一塊掩模版，減少工藝成本 缺點(diǎn)： 硅片表面不平坦，影響后續(xù)的介質(zhì)淀積 一般先離子注入形成 N阱，因?yàn)镻在高溫下的擴(kuò)散比 B慢，避免了氧化時(shí)雜質(zhì)的擴(kuò)散 天津工業(yè)大學(xué) CMOS集成電路中的柵電極（ Gate） ?普通金屬柵（鋁柵） ?多晶硅柵（雙摻雜自對準(zhǔn)多晶硅工藝） ?高 k柵介質(zhì)及金屬柵（鎢柵及 Ta2O5） 天津工業(yè)大學(xué) 高 k柵介質(zhì)及金屬柵 ?器件尺寸縮?。?），氧化層厚度越來越薄，需要采用高 k介質(zhì)代替 SiO2作為柵介質(zhì)層 ?保證儲(chǔ)存足夠的電荷來開啟 MOSFET，并有效防止隧穿及擊穿 ?金屬柵具有更低的電阻率，能有效
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1