linda--集成電路制造流程簡介-文庫吧在線文庫
【正文】 對於深紫外線（ DUV）光刻膠在 100176。這一步是穩(wěn)固光刻膠，對下面的刻蝕和離子注入非常關鍵。 13 14 Confidential 通過在硅片上製作電子器件，然後淀積介質層和到導電材料把器件連接起來，可以把硅片製成有許多功能的微芯片。在幹法 14 15 Confidential 刻蝕中，刻蝕包括離子濺射和活性元素與硅片表面的反應。雜質通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。 17 18 Confidential 在硅片製造的最後，所有硅片上的芯片 100%要經(jīng)過揀選（ wafer sort） 測詴，也稱電學揀選（ electrical sort）測詴、硅片探針 (wafer probe).硅片上每個芯片都要全部按照 DC和AC的產(chǎn)品功能規(guī)格進行測詴。 18 19 Confidential 自動參數(shù)測詴系統(tǒng)的組成 19 20 Confidential 在功能測詴中， DC測詴和 AC測詴都會用到。對於引線框架裝配，用細線將芯片表面的金屬點和提供芯片電通路的引線框架內端互聯(lián)起來。一種被稱為毛細管劈刀的鍵合機械裝置，將引線定位在被加熱的芯片壓點并施加壓 24 25 Confidential 力。 26 27 Confidential 熱超聲球鍵合 ?熱超聲球鍵合是一種結合超聲振動、熱合壓力形成的鍵合技術，被稱為球鍵合。將引線拉斷，工具移動到下一個芯片壓點。該軌道與用於包封芯片以及內引線框架的不同工具有接口。 測詴完成后，集成電路處理器將集成電路移回到它的最終發(fā)貨包裝體中，如托盤、捲筒或套管。 31 32 Confidential 所有裝配合封裝芯片都要進行最終電測詴以確保集成電路質量。 29 30 Confidential 引線鍵合完成后，進入芯片的封裝階段。伸出的細絲用小火焰或電容放電火花加熱，引起絲線的融化。通過毛細管劈刀底部的孔輸送引線并定位到芯片壓點的上方。 環(huán)氧樹脂粘貼 ：是將芯片粘貼到引線框架上或基座上最常用的方法。通過測詴的芯片會被分配一個分類代碼號，同時不合格的芯片也會按照芯片的具體失效類型（如輸出漏電流、開路、短路等）分配一個分類代碼。測詴開始時，硅片先被從盒裡轉移到探針臺，然後被放在真空托盤上。束流中離子的數(shù)量與希望引入的硅片的雜質有關，離子束在電場中加速，獲得很高的速度（ 107CM/s數(shù)量級），使離子有足夠的動能注入帶硅片的晶格結構中。 15 16 Confidential 本征硅的到點性能很差，只有當硅中加入少量雜質，使其結構和導電率發(fā)生改變時，硅才稱為一種有用的半導體。有圖形的光刻膠的層在刻蝕中不受到腐蝕源的侵蝕。 步驟八：顯影后檢查 一旦光刻膠在硅片上形成圖形，就要進行檢查以確定光刻膠圖形的質量。光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學顯影劑溶解，將可見的圖形留在硅片表面。C烘 30秒，接下來是在冷板上的降溫步驟，以
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