半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論chapter8離子注入工藝-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 /2?1015 B/7/2?1015 B/6/2?1015P型井區(qū) 低劑量臨界電壓 (VT)調(diào)整的注入說(shuō)明N通道 VT調(diào)整 P通道 VT調(diào)整96光阻P+P型 外延 層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)STI USG? 低能量 ~10MV/cm? 100,對(duì) ? 需要較好的電荷中性化101晶圓帶電監(jiān)測(cè)? 天線式電容器帶電的測(cè)試結(jié)構(gòu)? 多晶硅襯墊區(qū)的面積和薄氧化層區(qū)域的面積比稱為天線比例 (antenna造成重金屬污染? 離子源布能使用含有鉬的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼? 其他的材料例如石墨與鉭則通常會(huì)被使用106制程評(píng)估? 四點(diǎn)探針? 熱波法? 光學(xué)量測(cè)系統(tǒng) (OMS)107四點(diǎn)探針? 熱退火之后開(kāi)始執(zhí)行? 測(cè)量薄片電阻? 薄片電阻是摻雜物和接面深度的函數(shù)? 經(jīng)常用來(lái)做為摻雜制程的監(jiān)測(cè)108S1 S2 S3P1 P2 P3 P4VI摻雜區(qū)域基片典型的四點(diǎn)探針 ,S1和 P4,As,等 .117離子注入：輻射安全? 高能離子引起強(qiáng) X光輻射? 正常完全的屏蔽保護(hù)118離子注入：負(fù)產(chǎn)品的腐蝕性? BF3(SOI)?124SOI基片上的 CMOS組件P型硅 USGN型硅巨體硅 Si多晶硅STI深埋氧化層n+帶有晶格損傷的硅富氧硅巨體硅氧離子注入127高溫退火 高劑量? 臨界電壓調(diào)整 低能量 ,4:52:1201,214:52 4:52:124:52:1201,214:52 4:52:124:52:12 二月 21二月 2104:52:1204:52:12February214:52 4:52:12 2023/2/1二月 FebruaryFebruary 2023/2/120234:52:12FebruaryFebruary 2023/2/120234:52:12FebruaryFebruary(藉離子束電流和注入時(shí)間 .? 非等向性注入輪廓 .132離子注入概要? 離子源? 萃取? 質(zhì)譜儀? 后段加速? 電荷中性化系統(tǒng)? 射束阻擋器133離子注入概要? 井區(qū) /電子 — 電洞對(duì) ???的 50AsH3,V/I假如電流應(yīng)用在 P1S3和 11BF2+,V? 匣極氧化層 :(1015/cm2)P型磊晶層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)光阻P+STI USGn+n+離子注入：源極 /漏極注入98離子注入制程離子注入 (到 ? 離子束檢測(cè)器– 射束電流、射束能量和射束形狀量測(cè)? 水冷式的金屬平板用來(lái)帶走所產(chǎn)生的熱量，并阻擋 x光輻射90離子注入：終端分析儀? 法拉第電荷檢測(cè)器? 用來(lái)校正射束電流、能量和形狀91離子阻擋器示意圖離子束磁鐵晶圓冷卻平板石墨 俯視圖法拉第電流偵測(cè)器92離子注入制程? CMOS應(yīng)用? CMOS離子注入的要求? 注入制程評(píng)估93CMOS離子注入規(guī)范注入步驟 , 64 Mb , 256 Mb , 1 GbN型井區(qū) +離子軌跡晶圓82電荷中性化系統(tǒng)? 需要提供電子以中性化離子? 電漿泛注系統(tǒng)? 電子槍 的 1/4? 將要耗費(fèi)四倍的時(shí)間注入，生產(chǎn)量較低10B+比值太大的 m/q電力 ,P,一部分的離子可以沿著通道深入基片，而很多其他離子則被阻滯成常態(tài)的高斯分 佈 .39損害制程? 注入的離子轉(zhuǎn)移能量給晶格原子– 原子從晶格的束縛能釋放出來(lái)? 釋放出來(lái)的原子和其他的晶格原子碰撞– 晶格原子釋放成自由原子數(shù)增多– 損害會(huì)持續(xù)發(fā)生直到所有的自由原子停止? 一個(gè)高能量的離子可以導(dǎo)致數(shù)千個(gè)晶格原子的偏離位置40由單一離子造成的損傷重離子單晶硅損傷區(qū)輕離子41? 離子和晶格原子碰撞并且將晶格原子敲離開(kāi)晶格的束縛? 基片的注入?yún)^(qū)變成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)注入 前 注入后注入制程：損傷42注入制程：退火? 摻雜物原子必須在單晶體晶格位置且和四個(gè)硅原子產(chǎn)生鍵結(jié)，能夠有效的提供電子 (donor,(S?Sn)離子26阻滯功率與離子速度原子核阻滯電子阻滯I II III離子的速度阻滯功率27離子軌跡和投影射程投影射程離子的軌跡碰撞離子束真空 基片至表面的距離28投影射程ln(濃度)投影射程基片表面 從表面算起的深度2910 100 1000注入能量 8離子注入2目標(biāo)? 至少列出三種最常使用的摻雜物? 辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域? 描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)? 描述離子注入機(jī)的主要部分? 解釋通道效應(yīng)? 離子種類和離子能量的關(guān)系? 解釋后注入退火? 辨認(rèn)安全上的危害3離子注入? 簡(jiǎn)介? 安全性? 硬件? 制程? 概要4材料設(shè)計(jì)光罩IC生產(chǎn)廠房測(cè)試封裝最終測(cè)試加熱制程光刻離子注入與光阻剝除金屬化 化學(xué)機(jī)械研磨 介電質(zhì)沉積晶圓晶圓制造流程圖蝕刻與光阻剝除5簡(jiǎn)介 :低原子序的離子注入：主要是電子阻滯25阻滯機(jī)制隨機(jī)碰撞 通道的碰撞后的通道效應(yīng)34碰撞后的通道效應(yīng)碰撞 碰撞通道摻雜物濃度到表面的距離35注入制程：通道效應(yīng)? 避免通道效應(yīng)的方法– 晶圓傾斜 ,漏極匣極54問(wèn)與答?
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