【正文】 備送至彈匣（ magazine）內(nèi)，以送至下一製程進(jìn)行銲線。其過程為將導(dǎo)線架置於框架上並預(yù)熱，再將框架置於壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填並待硬化。所組成。檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合於使用。線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。溫度循環(huán)測試（ temperature cycle）? 8。Intel系列 CPU中 8088就采用這種封裝形式，緩存 (Cache)和早期的內(nèi)存芯片也是這種封裝形式。QFP/PFP封裝具有以下特點(diǎn)：Surface Mount Component? PQFP– Description: Plastic Quad Flat Pack– Class letter: U, IC, AR, C, Q, R– Lead Type : Gullwing – of Pins: 44 and up – Body Type: Plastic– Lead Pitch: 12 mils ( mm) to mils ( mm)– Orientation: Dot, notch, stripe indicate pin 1 and lead counts counterclockwise.Surface Mount Component? QFP (MQFP)– Description: Quad Flat Pack (QFP), Metric QFP (MQFP)– Class letter: U, IC, AR, C, Q, R– Lead Type : Gullwing– of Pins: 44 and up – Body Type: Plastic (Also metal and ceramic)– Lead Pitch: 12 mils ( mm) to mils ( mm)– Orientation: Dot, notch, stripe indicate pin 1 and lead counts counterclockwise.BGA球柵陣列封裝 ? 當(dāng) IC的頻率超過 100MHz時(shí)，傳統(tǒng)封裝方式可能會(huì)產(chǎn)生所謂的 “CrossTalk”現(xiàn)象，而且當(dāng) IC的管腳數(shù)大于 208 Pin時(shí)，傳統(tǒng)的封裝方式有其困難度。而拆卸 CPU芯片只需將插座的扳手輕輕抬起，則壓力解除， CPU芯片即可輕松取出。? 集成電路發(fā)明人： 杰克。 04:51:2904:51:2904:51Monday, February 01, 20231乍見翻疑夢，相悲各問年。 04:51:2904:51:2904:512/1/2023 4:51:29 AM1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 4:51:29 上午 4:51 上午 04:51:29二月 21楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 二月 214:51 上午 二月 2104:51February 01, 20231業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 04:51:2904:51:2904:51Monday, February 01, 20231知人者智，自知者明。 01 二月 20234:51:29 上午 04:51:29二月 211楚塞三湘接，荊門九派通。 二月 214:51 上午 二月 2104:51February 01, 20231行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。Best Wish For You 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。它減小了芯片封裝外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封裝尺寸就有多大。為使 CPU能夠更方便地安裝和拆卸，從 486芯片開始，出現(xiàn)一種名為 ZIF的 CPU插座，專門用來滿足 PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。將芯片各腳對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的焊點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn)與主板的焊接。高溫老化（ burnin）? 12。芯片目檢（ die visual）? 3。 把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（ dejunk）。最後整個(gè)積體電路的周圍會(huì) 膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。form）、印字（ mark）、電鍍（ plating）及檢驗(yàn)（ inspection）等。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠ie一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。光罩檢測（ Retical檢查） 影響 CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。磨 離子植入制程可對(duì)植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制。積 金 ■ 術(shù) 一般清洗技術(shù)工藝 清潔源 容器 清潔效果剝離光刻膠 氧等離子體 平板反應(yīng)器 刻蝕膠去聚合物 H2SO4:H2O=6:1 溶液槽 除去有機(jī)物去自然氧化層 HF:H2O1:50 溶液槽 產(chǎn)生無氧表面旋轉(zhuǎn)甩干 氮?dú)?甩干機(jī) 無任何殘留物RCA1(堿性 ) NH4OH:H2O2:H2O=1:1:溶液槽 除去表面顆粒RCA2(酸性 ) HCl:H2O2:H2O=1:1:5溶液槽 除去重金屬粒子DI清洗 去離子水 溶液槽 除去清洗溶劑光 學(xué) 顯 影 光學(xué)顯影是在感光膠上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。PSGNSiP+PP+N+ N+CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 12。NSiPB+CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 8。阱區(qū)注入及推進(jìn)，形成阱區(qū)NSiPCMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 3。減小寄生 PNP管的影響SiO2PSUBN+BL要求：1。后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒 三、 IC構(gòu)裝制程 ?IC構(gòu)裝製程（ Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路? 目的：是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。Fab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格 含塵（ Particle）均需控制的無塵室（ CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適 稱之為晶圓針測制程（ Wafer冶煉級(jí)的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分 經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepioxSiO2N+BLPSUBNepiN+BL第二次光刻 — P+隔離擴(kuò)散孔? 在襯底上形成孤立的外延層島 ,實(shí)現(xiàn)元件的隔離 .SiO2N+BLPSUBNepiN+BLNepiP+ P+P+涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗— 去膜 清洗 —P+ 擴(kuò)散 (B)第三次光刻 — P型基區(qū)擴(kuò)散孔決定 NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍SiO2N+BLPSUBNepiN+BLP+ P+P+P P去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜— 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 基區(qū)擴(kuò)散 (B)第四次光刻 — N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。光 IIIN管場區(qū)光刻，刻出 N管場區(qū)注入孔； N管場區(qū)注入。光 Ⅶ N管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，形成 NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)。材料是「矽」， IC（Integrated Circuit）廠用的矽晶片即為矽晶體，因?yàn)檎奈菃我煌暾木w，故又稱為單晶體?，F(xiàn)在主要應(yīng)用技術(shù) :等離子體刻蝕　常見濕法蝕 二氣化硅（通常直接稱為氧化層） 此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。氣 機(jī) 控量測芯片內(nèi)次微米電路之微距，以確保制程之正確性。當(dāng)晶圓從一個(gè)制程往下個(gè)制程進(jìn)行時(shí)，圖案晶圓檢測系統(tǒng)可用來檢