【正文】 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 10秒 02:41: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 41分 10秒 02:41:1024 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 :41:1002:41Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 CMP后清洗設(shè)備：毛刷洗擦、酸性噴淋清洗、兆聲波清洗、旋轉(zhuǎn)清洗干燥設(shè)備 溶劑： DI水、稀釋的氫氧化銨 NH4OH（附在毛刷上）。因有大分子，屬物理吸附，易清洗。粒度影響去除速度，粗拋時(shí)去除速度為 1～ ，粒度大時(shí)可達(dá) 20～ 30um/min，精拋時(shí)去除速度為 ～ 3. 添加劑：改善硅片表面性能，穩(wěn)定拋光液、顆粒分散性和懸浮性。大型拋光機(jī)相對(duì)轉(zhuǎn)速在 100－ 140rpm，上轉(zhuǎn) 30rpm，下轉(zhuǎn) 80rpm 7. 粘貼：對(duì)有臘粘貼（單面拋光），臘層中含有氣泡或微粒時(shí)會(huì)造成拋光時(shí)的區(qū)域性壓力而導(dǎo)致硅片的彎曲度或凹洞的產(chǎn)生；雙面拋光須采用無(wú)臘粘貼技術(shù)，雙面拋光的載具盤與拋光墊反向旋轉(zhuǎn)可以平衡硅片所受的切向力，改善表面平坦度、厚度及彎曲度 影響拋光速度及拋光片表面質(zhì)量的因素 8. 拋光墊的影響： 拋光墊除了可以使拋光液有效地均勻分布外，還提供新補(bǔ)充進(jìn)來(lái)的拋光液，并將反應(yīng)后的拋光液及反應(yīng)產(chǎn)物排出。 影響拋光速度及拋光片表面質(zhì)量的因素 Schematic of Chemical Mechanical Planarization (CMP) Wafer Wafer carrier Rotating platen Polishing slurry Slurry dispenser Polishing pad Downforce Figure DoubleSided Wafer Polish Upper polishing pad Lower polishing pad Wafer Slurry Figure 影響拋光速度及拋光片表面質(zhì)量的因素 1. PH值的影響：隨著 PH值增加硅的去除速度增加，當(dāng) PH大于 ，去除速度下降（表面從疏水性變?yōu)橛H水性）。 硅片在堿性腐蝕液中的腐蝕過程是反應(yīng)控制過程，反應(yīng)速度取決于表面懸掛鍵密度，是各向異性的過程，還與晶片表面的機(jī)械損傷有關(guān)，損傷層完全去除后腐蝕速度會(huì)變得比較緩慢。 C、 可溶解在 HF+HNO3中。顆粒周圍也吸附一層活性劑分子，防止顆粒再沉積。 磨料： Al2O SiC、 ZrO SiO CeO2 磨削液 在表面有損傷的地方， pn結(jié)的二極管噪聲會(huì)增加；應(yīng)力大的地方會(huì)增加 pn結(jié)的擴(kuò)散，形成 pn結(jié)擊穿；應(yīng)力大的地方金屬離子比較密集造成漏電流增加形成軟擊穿，須采用磨削液降低損傷層和應(yīng)力層。一般用球狀石墨鑄鐵，硬度 140－ 280HB 研磨盤的溝槽：使研磨漿料更均勻地分布在晶片與研磨盤之間，排出研磨屑與研磨漿料。 直徑等于或大于 8英寸的晶片不磨定位面，而沿長(zhǎng)度方向磨一小溝 Wafer Identifying Flats Ptype (111) Ptype (100) Ntype (111) Ntype (100) Figure Wafer Notch and Laser Scribe Notch Scribed identification number Figure Flat grind Diameter grind Preparing crystal ingot for grinding Ingot Diameter Grind Figure 切片 切片決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)：晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。 ? 高技術(shù)含量 設(shè)備先進(jìn)，技術(shù)先進(jìn)。 ? 微電子業(yè)的發(fā)展面臨轉(zhuǎn)折。 ? 2023年 1月 8日： 65nm制程英特爾 這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅。 ? 70年代的離子注入技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了淺結(jié)摻雜。 合金法 pn結(jié)示意圖 加熱、降溫 pn結(jié) In Ge NGe The First Transistor from Bell Labs Photo courtesy of Lucent Technologies Bell Labs Innovations ? 1958年在美國(guó)的德州儀器公司和仙童公司各自研制出了集成電路，采用的工藝方法是 硅平面工藝 。 集成電路制造技術(shù) 微電子工程系 何玉定 ? 早在 1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。 pn結(jié) SiO2 Si 氧化 光刻 擴(kuò)散摻雜 誕生 Jack Kilby’s First Integrated Circuit Photo courtesy of Texas Instruments, Inc. ?1959年 2月，德克薩斯儀器公司（ TI）工程師 集成電路發(fā)明專利； ?利用臺(tái)式法完成了用硅來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管、二極管、電阻和電容，并將其集成在一起的創(chuàng)舉。IC的集成度提高得以實(shí)現(xiàn)。 ? 2023年 3月 12日：針對(duì)筆記本的英特爾 酷睿 ? 2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。上世紀(jì)九十年代納電子技術(shù)出現(xiàn)，并越來(lái)越受到關(guān)注。 ? 高精度 光刻圖形的最小線條尺寸在深亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)，而精度更在上述尺度之上。 切片流程： 切片 1. 晶棒粘著：用臘或樹脂類粘結(jié)劑將晶棒粘在同長(zhǎng)的石墨條上，石墨起支撐、防邊沿崩角、修整鋸條。上研磨盤的溝槽比下研磨盤細(xì)而密，以減小晶片與上研磨盤之間的吸引力，以利磨完后取出晶片。 磨削液的作用： A 懸浮作用－吸附在磨料顆粒表面產(chǎn)生足夠高的位壘，使顆粒分散開來(lái)達(dá)到分散、懸浮的特性 B 潤(rùn)滑作用 C 冷卻作用－防止工件表面燒傷和產(chǎn)生裂縫 D 去損作用－磨削液為堿性，在磨削過程中和硅反應(yīng)。 通過對(duì)污染物進(jìn)行化學(xué)腐蝕、物理滲透和機(jī)械作用，達(dá)到清洗硅片的目的。 D、可以濕化晶片表面。 堿性腐蝕劑： KOH或 NaOH, 濃度 30%～ 50%反應(yīng)溫度 60～ 120℃ ，溫度高不易遺留斑點(diǎn)，當(dāng)易造成金屬污染。在相同的 PH值下，有機(jī)堿的拋光速度大于無(wú)機(jī)堿。選擇拋光墊材料時(shí)須考慮－－ 材質(zhì)、密度、厚度、表面形態(tài)、化學(xué)穩(wěn)定性、壓縮性、彈性系數(shù)、硬度等。 4. PH穩(wěn)定劑：防止拋光液存放時(shí) PH值發(fā)生變化。 拋光硅片表面質(zhì)量 1. 拋光霧；在強(qiáng)聚光燈下觀察到的拋光霧實(shí)質(zhì)是密度高達(dá) 105cm－ 2以上的微淺損傷缺陷，在強(qiáng)聚光照射下產(chǎn)生光的漫散射，肉眼感覺為霧。 硅片的清洗 名稱 配方 使用條件 作用 備注 Ⅰ 號(hào)洗液 NH4OH:H2O2:H2O =1:1:5→1:2:7 80177。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢(mèng)，相悲各問年。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :41:1002:41:10January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: ? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。顆粒被機(jī)械性地