集成電路封裝技術(shù)及其應用-免費閱讀
【正文】 例如，砷化鎵射頻混頻器/硅基驅(qū)動器件構(gòu)成模擬放大器，帶有一個或多個外部高速緩存的微處理器，微處理器或數(shù)字信號處理器與各種存儲器構(gòu)成的多媒體處理器，會有越來越多的廠家采用MCP。意法半導體ST公司可同時提供多種存儲芯片，開發(fā)新的MCP技術(shù)，在相同厚度的封裝中，疊裝更多的芯片，面向手機市場，推出基于NAND和NOR的MCP存儲器系統(tǒng)，大頁面（同步接口）NAND使MCP容量大增，可由256Mb、512Mb或1Gb的NAND與256Mb或512Mb的LP－SDRAM組成MCP，與現(xiàn)代半導體在國內(nèi)建合資企業(yè)，投資封裝測試技術(shù)。SRAM以及或非NOR、與非NAND閃存共同支撐起高端手機存儲子系統(tǒng)、SRAM及其改進型PSRAM（偽靜態(tài)RAM）、LP－SDRAM（低功耗SDRAM）、Cellular RAM、COMORAM、UtRAM等作高速工作數(shù)據(jù)緩存，NOR閃存多用于手機操作系統(tǒng)直接執(zhí)行程序代碼XIP的存儲，NAND閃存用作大容量數(shù)據(jù)存儲，存儲器容量隨手機功能的增加而擴大，而手機PCB上分配給存儲器的容積極其有限。9片疊層MCP中，3層是隔片，其他的6層才有功能。目前的減薄方法主要有超精密磨削、化學機械拋光、電化學腐蝕、濕法腐蝕、常壓等離子腐蝕、干式拋光等技術(shù)，提高圓片背面減薄加工效率，減小其表面和亞表面損傷，減緩或避免圓片翹曲變形，機械研磨減薄一般在150μm左右，等離子刻蝕方法可達100μm。MCP日趨定制化，能給顧客提供獨特的應用解決方案，比單芯片封裝具有更高的效率，其重要性與日劇增，所涉及的關(guān)鍵工藝包括如何確保產(chǎn)品合格率，減薄芯片厚度，若是相同芯片的層疊組裝和密集焊線等技術(shù)。將整個系統(tǒng)做在一個封裝中的能力為行業(yè)確立了一個新標準：2M/2m。2 MCP內(nèi)涵概念在今年的電子類專業(yè)科技文獻中，MCP被經(jīng)常提及，關(guān)于MCP技術(shù)的內(nèi)涵概念不斷豐富，表述出其主要特征，當前給定的MCP的概念為：MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，是一種一級單封裝的混合技術(shù)，用此方法節(jié)約小巧印刷電路板PCB空間。集成電路封裝技術(shù)及其應用作者：日期：多芯片封裝技術(shù)及其應用1 引言 數(shù)十年來，集成電路封裝技術(shù)一直追隨芯片的發(fā)展而進展，封裝密度不斷提高，從單芯片封裝向多芯片封裝拓展，市
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