【摘要】下一頁上一頁集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁上一頁上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-13 02:13
【摘要】集成電路制造技術(shù)微電子工程系何玉定?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言基本器件的兩個(gè)發(fā)展階段?分立元件階段(1905~1959)–真空電子管、半導(dǎo)體晶體管
2025-01-08 12:25
【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-18 20:36
【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【摘要】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測(cè)試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測(cè)試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測(cè)試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-08 13:39
【摘要】山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》交互式多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院山東大學(xué)孟堯微電子研發(fā)中心2002.6.26山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案李惠軍教授(碩士研究生導(dǎo)師)(
2025-07-31 06:02
【摘要】實(shí)驗(yàn)一認(rèn)識(shí)常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備和集成電路,邏輯筆實(shí)驗(yàn)與分析?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.熟悉門電路應(yīng)用分析。?2.熟悉實(shí)驗(yàn)箱各部分電路的作用。?3.掌握通信邏輯筆的制作和使用,對(duì)高、低電平、脈沖串的信號(hào)建立相應(yīng)的概念。?4.學(xué)會(huì)用門電路解決實(shí)際問題。二、實(shí)驗(yàn)儀器及材料?數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)箱以及各種集
2025-05-07 07:17
【摘要】現(xiàn)代集成電路制造工藝原理山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院王曉鯤第十一章淀積?膜淀積?化學(xué)氣相淀積?CVD淀積系統(tǒng)?介質(zhì)及其性能?旋涂絕緣介質(zhì)?外延薄膜和薄膜淀積?薄膜,指一種在襯底上生長(zhǎng)的薄固體物質(zhì)。?薄膜淀積,是指任何在硅片襯底上物理淀積一層膜的工藝。這層膜可
2025-02-07 11:09
【摘要】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進(jìn)行摻雜,離子注入,擴(kuò)散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計(jì)走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2025-01-23 10:42
【摘要】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長(zhǎng)掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(zhǎng)(Epitaxy)外延生長(zhǎng)的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 12:24
【摘要】?????5.集成電路的發(fā)展對(duì)硅片的要求1半導(dǎo)體材料?目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有:元素半導(dǎo)體(SiGe)化合物半導(dǎo)體(GaAs)?本征半導(dǎo)體:不含任何雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體,其純度在%(8~10個(gè)9)。
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績(jī)計(jì)算:?平時(shí)成績(jī)(出勤、作業(yè)、小測(cè)驗(yàn))20%+期終考試
【摘要】1ConfidentialCopyright?2023.AlphaNetworksInc.Allrightsreserved.12Confidential集成電路(Integratedcircuit),就是我們常說的IC或者芯片。在介紹集成電路的製造工藝之前,讓我們先了解一下硅片。硅片是一種單晶
2025-02-18 22:15
【摘要】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)3?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)
2025-01-14 10:46