【摘要】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-08 13:39
【摘要】山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》交互式多媒體計算機輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院山東大學(xué)孟堯微電子研發(fā)中心2002.6.26山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》多媒體計算機輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案李惠軍教授(碩士研究生導(dǎo)師)(
2025-07-31 06:02
【摘要】現(xiàn)代集成電路制造工藝原理山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院王曉鯤第十一章淀積?膜淀積?化學(xué)氣相淀積?CVD淀積系統(tǒng)?介質(zhì)及其性能?旋涂絕緣介質(zhì)?外延薄膜和薄膜淀積?薄膜,指一種在襯底上生長的薄固體物質(zhì)。?薄膜淀積,是指任何在硅片襯底上物理淀積一層膜的工藝。這層膜可
2025-02-07 11:09
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績計算:?平時成績(出勤、作業(yè)、小測驗)20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【摘要】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進行摻雜,離子注入,擴散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓撲定義等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2025-01-23 10:42
【摘要】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(Epitaxy)外延生長的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 12:24
【摘要】?????5.集成電路的發(fā)展對硅片的要求1半導(dǎo)體材料?目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有:元素半導(dǎo)體(SiGe)化合物半導(dǎo)體(GaAs)?本征半導(dǎo)體:不含任何雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體,其純度在%(8~10個9)。
【摘要】下一頁上一頁集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁上一頁上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-13 02:13
【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜?;静襟E:硅片準備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-01 12:22
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進行離子注入的優(yōu)點?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 13:38
【摘要】一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級硅),英文簡稱(GSG),有時也被稱為(電子級硅)。2.單晶硅生長常用(CZ法)和(區(qū)熔法)兩種生長方式,生長后的單晶硅被稱為(硅錠)。3.晶圓的英文是(wafer),其常用的材料是(硅)和(鍺)。4.晶圓制
2025-03-26 05:14
【摘要】外延工藝在集成電路制造產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用外延(Epitaxy,簡稱Epi)工藝是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料,外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si),也可以是異質(zhì)外延層(SiGe/Si或SiC/Si等);同樣實現(xiàn)外延生長也有很多方法,包括分子束外延(MBE),超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV/CVD),常壓及減壓外延(ATM&RPEpi)等等。本文僅介
2025-06-26 19:16