集成電路工藝原理-免費(fèi)閱讀
【正文】 但在分辨率要求不太高的情況，負(fù)膠也有其優(yōu)點(diǎn)： a)對(duì)襯底表面粘附性好 b)抗刻蝕能力強(qiáng) c)曝光時(shí)間短，產(chǎn)量高 d)工藝寬容度較高 （顯影液稀釋度、溫度等） e)價(jià)格較低 （約正膠的三分之一） 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 31/34 負(fù)膠的組成部分： a) 基底：合成環(huán)化橡膠樹(shù)脂 (cyclized synthetic rubber risin) 對(duì)光照不敏感，但在有機(jī)溶劑如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 雙芳化基 (bisarylazide) 當(dāng)光照后，產(chǎn)生交聯(lián)的三維分子網(wǎng)絡(luò)，使光刻膠在顯影液中具有不溶性。根據(jù)瑞利判據(jù)： ???? c o s4/ ??? 很小時(shí)， 2/)]2/1(1[4/ 22 ????? ????NAfd ??? 2s i n ??焦深 NA?，焦深 ? ? 焦深 22 )( NAkDOF?? ??? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 22/34 焦深 像平面 光刻膠 IC技術(shù)中，焦深只有 1mm，甚至更小 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 23/34 調(diào)制傳遞函數(shù) MTF－－對(duì)比度 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 24/34 一般要求 MTF 與尺寸有關(guān) m i nm a xm i nm a xIIIIM T F??? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 25/34 MTF與光的部分相干度 S S= 光源直徑 s 聚光鏡直徑 d S增加，越來(lái)越不相干 一般 S＝ 或 S= NA聚光光路 NA投影光路 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 26/34 橫坐標(biāo)：歸一化的空間頻率，線條數(shù) /mm 空間頻率 ?＝ 1/(2W), W是等寬光柵的線條寬度， 2W即 Pitch 按照瑞利判據(jù)歸一化，即 ?0＝ 1/W0＝ 1/R＝ NA/? （截止頻率） 2W 線條增寬 線條減細(xì) )1(1 SNAkR ?? ? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 27/34 例題：假定某種光刻膠可以 MTF＝ ，如果曝光系統(tǒng)的 NA＝ ， ?＝ 436 nm（ gline）， S＝ 。則光刻分辨的最小尺寸為多少？如果采用 i線光源呢？ 解：從圖中可以知道： S＝ ， MTF＝ ，對(duì)應(yīng)于 ?
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