集成電路制造工藝及常用設(shè)備培訓(xùn)課件-免費閱讀
【正文】 :40:1302:40:13January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 2時 40分 :40January 24, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 上午 2時 40分 13秒 上午 2時 40分 02:40: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 02:40:1302:40:1302:401/24/2023 2:40:13 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。整個過程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)移，所以稱為物理性刻蝕。 ■ 鋁硅之間容易產(chǎn)生“鋁釘”，深度可 達 1μm，所以對于淺結(jié)工藝很容易造 成 PN結(jié)短路。 采用 LPCVD、 PECVD或濺射等方式制作薄膜的最大優(yōu)點是工作溫度比較低，其中 LTO 的工作溫度是 620℃ 左右， PECVD方式淀積 SiO2的溫度可以在 200 ℃ 以下。 ● 好的厚度均勻性。 圖形轉(zhuǎn)移工藝 襯底 淀積薄膜 勻膠、前烘 曝 光 掩模版 紫外光 顯影、堅膜 腐 蝕 去 膠 S i S i正膠 負膠 勻膠 正膠和負膠 曝光 ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ 掩膜版 紫外光 顯影 正膠感光區(qū)域溶于顯影液 負膠未感光區(qū)域溶于顯影液 光學(xué)曝光的三種曝光方式 接觸式曝光 接近式曝光 投影式曝光 接觸式曝光 接觸式曝光是掩膜板直接同光刻膠接觸，它具有設(shè)備簡單、分辨率高的優(yōu)點。 例題：如果注入劑量是 5 1015，束流1mA，求注入一片 6英寸硅片的時間 ISqNt S?t=（ 1019 5 1015 ） / 1 103 =141秒 根據(jù)公式 （ 46） 注入劑量、標準偏差和峰值濃度之間的近似關(guān)系： pSRNN??ma x（ 6 14） 對于原來原子排列有序的晶體，由于離子注入，在晶體中將大量產(chǎn)生缺陷，如空位等。 ● 離子注入可以通過分別調(diào)節(jié)注入離子的能量、數(shù)量，精確地控制摻雜的深度和濃度，所以可以制備理想的雜質(zhì)分布。其缺點是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜與光刻膠接觸不良，光刻時容易浮膠。 硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。 不同的熱氧化方式生長的 SiO2 膜性質(zhì)比較 ● 干氧氧化的 SiO2 膜結(jié)構(gòu)致密，干燥、均勻 性和重復(fù)性好、掩蔽能力強、鈍化效果好， 與光刻膠的接觸良好，光刻時不易浮膠。以上時，一般采用干氧 — 濕氧 — 干氧的方式，既保證了所需的厚度，縮短了氧化時間，又改善了表面的完整性和解決了光刻時的浮膠問題。 ● 熱擴散時，雜質(zhì)在縱向擴散的同時進行橫向 擴散，兩者幾乎一樣，而離子注入的橫向擴 散很小。熱退火后對雜質(zhì)分布將產(chǎn)生影響， LSS理論的射程 RP和標準偏差 ΔRp 要作修正。 投影式曝光的掩模版同硅片不接觸，對于 4: 5:1縮小的投影曝光，可以得到更小的圖形尺寸，可以減少掩模版上缺陷（如灰塵等顆粒）對成品率的影響。 ● 對襯底材料或下層膜好的粘附性。特別是對 H2O和 Na 的強力阻擋作用，使它成為一種較理想的鈍化材料。 3SiH
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