集成電路制造工藝及常用設(shè)備培訓(xùn)課件-wenkub
2023-01-25 18:34:14 本頁(yè)面
【正文】 ??；膠膜致密性好，無(wú)針孔；圖形邊緣陡直，無(wú)鋸齒狀；顯影后留膜率高，不留底膜或其它顆粒物質(zhì)；在顯影液和其它腐蝕劑里抗蝕性強(qiáng)、抗溶漲性好；去膠容易，不留殘?jiān)? 光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠兩種： 正膠是感光部分顯影時(shí)溶解掉，負(fù)膠則相反。 離子注入的損傷和退火效應(yīng) 注入的離子在硅單晶中往往處于間隙位置，一般不能提供導(dǎo)電性能，因此，必須要使注入的雜質(zhì)原子轉(zhuǎn)入替位位置以實(shí)現(xiàn)電激活。 在離子注入機(jī)中，利用電流積分儀測(cè)量注入的離子總數(shù) N： ????tS idtqqQSNN01式中： NS 單位面積的注入劑量（個(gè) /cm2 ）， S 是掃描面積（ cm2 ）， q 是一個(gè)離子的電荷（ 1019庫(kù)侖），Q 是注入到靶中的總電荷量（庫(kù)侖）， i是注入的束流（安培）， t 是注入時(shí)間（秒）。 ● 擴(kuò)散法是在高溫下?lián)诫s，離子注入法摻雜一 般在室溫下進(jìn)行（也可以在加溫或低溫下進(jìn) 行）。 ● 熱氧化生長(zhǎng)的 SiO2薄膜質(zhì)量好，但是反應(yīng)溫度比較高。 在實(shí)際工藝應(yīng)用中，生長(zhǎng)高質(zhì)量的幾百 197。 ● 水汽氧化的 SiO2 膜結(jié)構(gòu)疏松，表面有斑點(diǎn) 和缺陷，含水量多，對(duì)雜質(zhì)的掩蔽能力差， 所以在工藝中很少單獨(dú)采用。 τ 是一個(gè)時(shí)間參數(shù)，單位是小時(shí)（ h）。1. 高溫氧化工藝 硅的熱氧化 硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng)，生成 SiO2 。 （ 3 13） 硅熱氧化的厚度計(jì)算 熱氧化原理和方法 O2 擴(kuò)散 反應(yīng) SiO2 Si Si + O2 = SiO2 硅的熱氧化分干氧和濕氧兩種。 ● 濕氧氧化生長(zhǎng)的膜致密性略差于干氧生長(zhǎng)的 SiO2 膜，但它具有生長(zhǎng)速率快的優(yōu)點(diǎn)，其掩蔽能力和鈍化效果都能滿足一般器件的要求。 的 SiO2薄膜一般采用干氧的方式。襯底只能用于單晶硅表面。 ● 離子注入法可以做到高純度的摻雜，避免有 害物質(zhì)進(jìn)入硅片。 （ 6 8） 如果束流是穩(wěn)定的電流 I，則： qItSNS ?ISqNt S?（ 6 9） （ 6 10） 其中： NS 單位面積的注入劑量（個(gè) /cm2 ）， S 是掃描面積（ cm2 ）， q 是一個(gè)離子的電荷（ 1019庫(kù)侖），I 是注入的束流（安培）， t 是注入時(shí)間（秒）。 注入離子的激活 離子注入后的熱退火 高能粒子撞擊硅片表面，造成晶格損傷，因此為了消除離子注入造成的損傷和激活注入的雜質(zhì)離子，離子注入后必須要進(jìn)行熱退火。 3. 光刻工藝 底膜是指顯影后還有一層薄薄的膠。 接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻膠離開10 ～ 50 μm，所以掩膜版不容易被損傷，掩膜版的使用壽命長(zhǎng)，圖形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺點(diǎn)是分辨率低，同時(shí)機(jī)器操作比接觸式曝光機(jī)復(fù)雜、價(jià)格也稍貴。 ● 填充高的深寬比間隙的能力。 ● 高度的結(jié)構(gòu)完整性和低的膜應(yīng)力。這種制作二氧化硅薄膜的方法同硅的熱氧化制作二氧化硅有著本質(zhì)上的區(qū)別：前者是同襯底材質(zhì)沒有關(guān)系，二氧化硅是淀積到襯底上去的；后者是硅襯底直接同氧或水在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅。 Si3N4在器件制造中可以用作鈍化膜、
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