集成電路制造工藝及常用設(shè)備培訓(xùn)課件(更新版)
【正文】 、用不同的源淀積的 SiO2在密度、折射率、應(yīng)力、介電強度、臺階覆蓋和腐蝕速率等各方面性能上都有很大差別。 ● 高純度和高密度。它分成真空接觸、硬接觸和軟接觸三種方式，其中真空接觸具有接觸力均勻、掩膜變形小和可以消除氧氣對光刻膠的影響等優(yōu)點。對于高能、大劑量的重離子注入到硅單晶中，如 As+，將使局部晶體變成非晶體。 離子注入的優(yōu)點 2. 離子注入 ● 擴散法摻雜時受到化學結(jié)合力、擴散系數(shù)及 固溶度等方面的限制，而離子注入是一個物 理過程，所以它可以注入各種元素。同時，濕氧氧化后的 Si 片表面存在較多的位錯和腐蝕坑。 如果氧化前已存在厚度為 t0 的氧化層，則（ 311）微分方程的解為：（ tOX ：是總的氧化層厚度） ? ????? tBAtt OXOX 2（ 4 12） BAtt 020 ???12NDHPB g???????????gS hkDA 112式中 在各種工藝條件下，參數(shù) A和 B都是已知的， t 是氧化時間。干氧是在高溫下氧分子與硅表面的原子反應(yīng)生成 SiO2 。 SiO2薄膜厚度需要幾千 197。 ● 熱擴散時只能采用 SiO2 等少數(shù)耐高溫的介質(zhì) 進行局部摻雜，但是離子注入法可以采用光 刻膠作為掩蔽膜，進行局部注入摻雜。最常用的是在 950℃ 高溫爐中在氮氣保護下，退火 15～ 30分鐘。 投影式曝光 光刻工藝中的投影式曝光分 1 : 4 : 5 : 1幾種。 ● 好的電學性能。它最重要的性質(zhì)是對 H2O、 O2 、 Na、 Al、Ga、 In等都具有極強的擴散阻擋能力。 ～ 射頻濺射 直流濺射 + E C 靶 載片臺 PECVD PECVD是讓兩種反應(yīng)氣體在襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，如： PECVD淀積Si3N4 。 RIE同 PECVD的差別 生長 SiO2 腐蝕 SiO2 淀積多晶硅 光刻 P S iSiO2 光刻多晶硅 PolySi 6. MEMS器件制造 要選擇好合適的犧牲層！ 管芯 （ Chip） 外殼 （ package） 器件 （ device） ＋ packaging 封裝工藝 封裝就是給管芯（ chip）與線路板（ PCB）之間提供信號互連、電源分配、機械支撐、環(huán)境保護和導(dǎo)熱通道。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 40分 13秒 02:40: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 02:40:1302:40:1302:40Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 02:40:1302:40:1302:401/24/2023 2:40:13 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 2時 40分 13秒 上午 2時 40分 02:40: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看 專家告訴
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1