集成電路制造工藝及常用設(shè)備培訓(xùn)課件(參考版)
2025-01-08 18:34本頁面
【正文】 2023年 1月 24日星期二 2時 40分 13秒 02:40:1324 January 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 40分 13秒 02:40: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強。 :40:1302:40Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023年 1月 24日星期二 2時 40分 13秒 02:40:1324 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 :40:1302:40:13January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 :40:1302:40Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023年 1月 24日星期二 2時 40分 13秒 02:40:1324 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 。 :40:1302:40:13January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 :40:1302:40Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 7. 封裝工藝 關(guān)于考試 1. 閉卷考試； 2. 考試時間 （ 等通知） 3. 考試地點（等通知） 4. 需要攜帶計算器，畫圖時可用直尺也可不用。襯底需要加熱。 物理干法刻蝕 直流濺射 + 靶 載片臺 物理方法干法刻蝕同濺射的差別 RF 陰極 陽極（或離子源） Ar 抽真空 RIE是反應(yīng)離子刻蝕，它依靠低壓刻蝕氣體在電場加速作用下輝光放電而生成帶電離子、分子、電子以及化學(xué)活性很強的原子團，這些原子團擴散到被刻蝕材料表面，與被刻蝕材料表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物并隨氣流被真空泵抽走，從而實現(xiàn)刻蝕。 等離子體刻蝕 物理方法干法刻蝕是利用輝光放電將惰性氣體，例如氬氣（ Ar），解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，轟擊被刻蝕物的表面，并將被刻蝕物材料的原子擊出。 3SiH4 ＋ 4NH3 → Si 3N4 ＋ 12H2 它的化學(xué)反應(yīng)同 LPCVD完全一樣，差別就是反應(yīng)的溫度不同。 5. 等離子體加工技術(shù)小結(jié) 如果靶材是絕緣介質(zhì)或?qū)щ姲猩鲜芙^緣介質(zhì)污染時，相當(dāng)于在等離子體與陰極之間有一個電容器，采用直流電源實現(xiàn)濺射存在困難，所以對于絕緣靶的濺射一般采用射頻（ RF）電源，但是它必須要在硅片與靶之間加一個直流偏壓。 濺射 根據(jù)采用的電源種類，等離子體濺射有兩種方式：直流陰極濺射和射頻濺射。 鋁布線的優(yōu)缺點 ■ 能長期工作 優(yōu)點 ■ 同硅或多晶硅能形成歐姆接觸 ■ 電阻率能滿足微米和亞微米電路的要求 ■ 與 SiO2 有良好的附著性 ■ 臺階的覆蓋性好 ■ 易于淀積和刻蝕 ■ 易于鍵合 缺點 ■ 在大電流密度下容易產(chǎn)生金屬離子 電遷移現(xiàn)象，導(dǎo)致電極短路。特別是對 H2O和 Na 的強力阻擋作用，使它成為一種較理想的鈍化材
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