半導(dǎo)體集成電路_03集成電路的基本制造工藝(參考版)
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【正文】 2023/2/1 4:47:4804:47:4801 February 2023? 1一個(gè)人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強(qiáng) 不息。 01 二月 20234:47:48 上午 04:47:48二月 21? 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過(guò) 于提升自我。 勝 人者有力，自 勝 者 強(qiáng) 。 二月 2104:47:4804:47Feb2101Feb21? 1越是無(wú)能的人，越喜 歡 挑剔 別 人的 錯(cuò) 兒。二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀 一切好 書(shū) 如同和 過(guò) 去最杰出的人 談話 。2023/2/1 4:47:4804:47:4801 February 2023? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 。 二月 21二月 2104:47:4804:47:48February 01, 2023? 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 二月 2104:47:4804:47Feb2101Feb21? 1世 間 成事，不求其 絕對(duì)圓滿 ，留一份不足，可得無(wú)限完美。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 很多事情努力了未必有 結(jié) 果，但是不努力卻什么改 變 也沒(méi)有。 2023/2/1 4:47:4804:47:4801 February 2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時(shí) ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點(diǎn)的射 線 向前。 。 二月 21二月 2104:47:4804:47:48February 01, 2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國(guó) 見(jiàn) 青山。二月 2104:47:4804:47Feb2101Feb21? 1故人江海 別 ，幾度隔山川。二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉 樹(shù) ，燈下白 頭 人。NPN管 C極只能接固定電位，從而限制了 NPN管的使用2023/2/1以 N阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝?NPN具有較薄的基區(qū)，提高了其性能；?N阱使得 NPN管 C極與襯底隔開(kāi)，可根據(jù)電路需要接電位?集電極串聯(lián)電阻還是太大，影響雙極器件的驅(qū)動(dòng)能力在現(xiàn)有 N阱 CMOS工藝上增加一塊掩膜板2023/2/1 以 N阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的改進(jìn) BiCMOS工藝?使 NPN管的集電極串聯(lián)電阻減小 5?6倍 ；?使 CMOS器件的抗閂鎖性能大大提高2023/2/1三、后部封裝 （在另外廠房）（ 1）背面減?。?2）切片（ 3）粘片（ 4）壓焊：金絲球焊（ 5）切筋（ 6）整形（ 7）所封（ 8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸（ 9）老化（ 10）成測(cè)（ 11）打印、包裝2023/2/1?金絲?劈?加熱壓 焊2023/2/1三、后部封裝 （在另外廠房）2023/2/12023/2/1作業(yè)：作業(yè)：1. 課本 P14， 2. 下圖是 NMOS晶體管的立體結(jié)構(gòu)圖，請(qǐng) 標(biāo)出各區(qū)域名稱及摻雜類型，并畫(huà)出這個(gè)器件的版圖（包括接觸孔和金屬線）。 去膠PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+ N+ N+2023/2/1PwellN+PwellP+ P+磷離子注入去膠P+ P+N+ N+2023/2/1掩膜 6 ：光刻接觸孔淀積 PSG.光刻接觸孔刻蝕接觸
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