【摘要】集成電路版圖設(shè)計與驗證第三章集成電路制造工藝?雙極集成電路最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是模擬和超高速集成電路。?每個晶體管之間必須在電學(xué)上相互隔離開,以防止器件之間的相互影響。?下圖為采用場氧化層隔離技術(shù)制造的NPN晶體管的截面圖,制作這種結(jié)構(gòu)晶體管的簡要工藝流程如下所示:?(1)原始材料選?。褐谱鱊
2025-01-08 18:43
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
【摘要】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴(kuò)散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-05-03 13:59
【摘要】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-11 20:38
【摘要】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。國際微電子中心集成電路設(shè)計原理2?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工藝、提高集成度和速度。?設(shè)計工作由有生產(chǎn)線集成
2025-01-08 18:34
【摘要】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實驗室展開對半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-08 13:18
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
2025-06-28 03:24
【摘要】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點說明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^程CMOS集成電路的制備工藝是一個非常復(fù)雜而
2025-07-02 07:07
【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAA’
2025-03-03 04:35
【摘要】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設(shè)計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-17 05:39
【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-08 18:37
【摘要】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-01-08 18:46
【摘要】關(guān)于集成電路制造工藝介紹-----------------------作者:-----------------------日期:集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計和光集成電路
2025-06-19 04:07