集成電路的基本制造工藝教材(參考版)
2025-01-08 18:37本頁面
【正文】 2023/1/28 13:13:5413:13:5428 January 2023? 1一個人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強 不息。 28 一月 20231:13:54 下午 13:13:54一月 21? 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過 于提升自我。 勝 人者有力，自 勝 者 強 。 一月 2113:13:5413:13Jan2128Jan21? 1越是無能的人，越喜 歡 挑剔 別 人的 錯 兒。一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 閱讀 一切好 書 如同和 過 去最杰出的人 談話 。2023/1/28 13:13:5413:13:5428 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 一月 21一月 2113:13:5413:13:54January 28, 2023? 1意志 堅 強 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 一月 2113:13:5413:13Jan2128Jan21? 1世 間 成事，不求其 絕對圓滿 ，留一份不足，可得無限完美。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 很多事情努力了未必有 結(jié) 果，但是不努力卻什么改 變 也沒有。 2023/1/28 13:13:5413:13:5428 January 2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時 ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點的射 線 向前。 。 一月 21一月 2113:13:5413:13:54January 28, 2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國 見 青山。一月 2113:13:5413:13Jan2128Jan21? 1故人江海 別 ，幾度隔山川。一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 雨中黃葉 樹 ，燈下白 頭 人。NPN管 C極只能接固定電位，從而限制了 NPN管的使用2023/1/28以 N阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝?NPN具有較薄的基區(qū)，提高了其性能；?N阱使得 NPN管 C極與襯底隔開，可根據(jù)電路需要接電位?集電極串聯(lián)電阻還是太大，影響雙極器件的驅(qū)動能力在現(xiàn)有 N阱 CMOS工藝上增加一塊掩膜板2023/1/28 以 N阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的改進 BiCMOS工藝?使 NPN管的集電極串聯(lián)電阻減小 5?6倍 ；?使 CMOS器件的抗閂鎖性能大大提高2023/1/28三、后部封裝 （在另外廠房）（ 1）背面減?。?2）切片（ 3）粘片（ 4）壓焊：金絲球焊（ 5）切筋（ 6）整形（ 7）所封（ 8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸（ 9）老化（ 10）成測（ 11）打印、包裝2023/1/28?金絲?劈?加熱壓 焊2023/1/28三、后部封裝 （在另外廠房）2023/1/282023/1/28作業(yè)：作業(yè)：1. 課本 P14， 2. 下圖是 NMOS晶體管的立體結(jié)構(gòu)圖，請 標(biāo)出各區(qū)域名稱及摻雜類型，并畫出這個器件的版圖（包括接觸孔和金屬線）。 去膠PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+ N+ N+2023/1/28PwellN+PwellP+ P+磷離子注入去膠P+ P+N+ N+2023/1/28掩膜 6 ：光刻接觸孔淀積 PSG.光刻接觸孔刻蝕接觸
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